جلد 14، شماره 2 - ( مجله پژوهش فيزيك ايران، تابستان 1393 )                   جلد 14 شماره 2 صفحات 161-166 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Sangpour P, Khosravy K, Kazemzad M. Investigation of SiO2 thin films dielectric constant using ellipsometry technique. IJPR. 2014; 14 (2) :161-166
URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-1592-fa.html
سنگ‌پور پروانه، خسروی کمیل، کاظم‌زاد محمود. بررسی ثابت دی الکتریک لایه نازک SiO2با استفاده از آزمون بیضی سنجی. مجله پژوهش فيزيك ايران. 1393; 14 (2) :161-166

URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-1592-fa.html


پژوهشکده فناوری نانو و مواد پیشرفته، پژوهشگاه مواد و انرژی، کرج ، sangpour@merc.ac.ir
چکیده:   (5087 مشاهده)

sio2در این مقاله به بررسی رفتار نوری لایه‌های نازک

(TEOS )تهیه شده به‌روش سل ژل چرخشی با استفاده از پیش ماده تترااتیل اورتوسیلیکات

، در دماهای مختلف(600– 400) درجه سانتی‌گراد پرداخته شده

UV-Vis است. از نتایج حاصل از آزمون

برای به‌دست آوردن لبه جذب و گاف انرژی لایه‌ها و از آزمون بیضی سنجی (الیپسومتری)  برای به‌دست آورن ضریب شکست نوری و ضرایب دی الکتریک آنها استفاده شد. نتایج نشان داد که لایه‌های نازک سیلیکا به‌دست آمده از این روش دارای عدد سطح ویژه و درصد تخلخل بالای بین 9/4 و 2/16، چگالی کم 2 و ضریب دی الکتریک پایین 2 است. همچنین با افزایش دما ثابت دی الکتریک و درصد تخلخل لایه‌ها افزایش یافته است که علت این امر تغییرات زبری سطح و اندازه ذرات می‌باشد.

متن کامل [PDF 774 kb]   (1182 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA

ارسال پیام به نویسنده مسئول


کلیه حقوق این وب سایت متعلق به مجله پژوهش فیزیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2019 All Rights Reserved | Iranian Journal of Physics Research

Designed & Developed by : Yektaweb