جلد 14، شماره 2 - ( مجله پژوهش فيزيك ايران، تابستان 1393 )                   جلد 14 شماره 2 صفحات 161-166 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


پژوهشکده فناوری نانو و مواد پیشرفته، پژوهشگاه مواد و انرژی، کرج ، sangpour@merc.ac.ir
چکیده:   (4819 مشاهده)

sio2در این مقاله به بررسی رفتار نوری لایه‌های نازک

(TEOS )تهیه شده به‌روش سل ژل چرخشی با استفاده از پیش ماده تترااتیل اورتوسیلیکات

، در دماهای مختلف(600– 400) درجه سانتی‌گراد پرداخته شده

UV-Vis است. از نتایج حاصل از آزمون

برای به‌دست آوردن لبه جذب و گاف انرژی لایه‌ها و از آزمون بیضی سنجی (الیپسومتری)  برای به‌دست آورن ضریب شکست نوری و ضرایب دی الکتریک آنها استفاده شد. نتایج نشان داد که لایه‌های نازک سیلیکا به‌دست آمده از این روش دارای عدد سطح ویژه و درصد تخلخل بالای بین 9/4 و 2/16، چگالی کم 2 و ضریب دی الکتریک پایین 2 است. همچنین با افزایش دما ثابت دی الکتریک و درصد تخلخل لایه‌ها افزایش یافته است که علت این امر تغییرات زبری سطح و اندازه ذرات می‌باشد.

متن کامل [PDF 774 kb]   (1144 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي