جلد 3، شماره 4 - ( 3-1382 )                   جلد 3 شماره 4 صفحات 289-293 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


چکیده:   (15245 مشاهده)

با استفاده از نظریه جرم موثر, ویژه مقادیر انرژی الکترونها و حفره ها در سیمهای کوانتومی با سطح مقطع مستطیلی و مربعی محاسبه شده است. در این تقریب ضمن ارائه شکل خاصی برای وابستگی مکانی جرم موثر حاملها, ارتفاع سد پتانسیل نیز محدود در نظر گرفته شده است. با استفاده از داده های موجود برای سیستم های As/InP In0.53 Ga0.47و GaAs/Ga0.63Al0.37As, ویژه مقادیر انرژی محاسبه و با نتایج به دست آمده از روشهای نظری دیگر مقایسه شده اند. جابه جایی انرژی نیز در سیم کوانتومی Ga0.47In0.53As/InP با روش فوق تعیین شده و با نتایج تجربی موجود مقایسه گردیده است.

متن کامل [PDF 156 kb]   (2700 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي