جلد 17، شماره 4 - ( مجله پژوهش فيزيك ايران، پاييز 1396 )                   جلد 17 شماره 4 صفحات 621-628 | برگشت به فهرست نسخه ها


XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

shakouri R, Haydari H. Investigation of uniformity SiO2 thin film deposited by electron beam and thermal evaporation method. IJPR. 2017; 17 (4) :621-628
URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-1921-fa.html
شکوری رضا، حیدری حسن. بررسی یکنواختی لایه نازک SiO2 ، تولید شده با روش تبخیر باریکه الکترون و تبخیر گرمایی . مجله پژوهش فيزيك ايران. 1396; 17 (4) :621-628

URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-1921-fa.html


گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره) ، rezashakouri@ymail.com
چکیده:   (880 مشاهده)

در این مقاله لایه نازک دی‌اکسید‌سیلیسیم، SiO2، با دو روش تولید شده است: در روش اول، SiO2 مستقیماً توسط تفنگ الکترونی تبخیر می‌شود و هم‌زمان برای جبران کمبود اکسیژن، گاز اکسیژن به محیط تزریق می‌شود. در روش دوم، منواکسید‌سیلسیم، SiO، توسط تبخیر گرمایی بخار می‌شود و در حین تبخیر آن، زیر لایه با یون‌های اکسیژن که توسط یک منبع یون تولید شده‌اند بمباران می‌شود. ضریب شکست، ضریب خاموشی و ضخامت لایه به کمک حل عددی روابط عبور و بازتاب محاسبه شده‌اند. از میزان جابه‌جایی منحنی عبور مقدار نایکنواختی لایه محاسبه شده است. نتایج نشان می‌دهد که اگر مقدار جریان و انرژی یون‌های اکسیژن به طور مناسب انتخاب شوند، لایه SiO2 تولید شده در روش دوم، جذب ندارد. به علاوه لایه SiO2 تولید شده توسط روش دوم به مراتب یکنواختتر از لایه تولید شده با روش اول می‌باشد.

متن کامل [PDF 354 kb]   (176 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
کد امنیتی را در کادر بنویسید

ارسال پیام به نویسنده مسئول


کلیه حقوق این وب سایت متعلق به مجله پژوهش فیزیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2018 All Rights Reserved | Iranian Journal of Physics Research

Designed & Developed by : Yektaweb

تحت نظارت وف بومی