جلد 17، شماره 4 - ( مجله پژوهش فيزيك ايران، پاييز 1396 )                   جلد 17 شماره 4 صفحات 573-583 | برگشت به فهرست نسخه ها


XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

daneshvar M, Rostamnejadi A. Band structure and thermal emission of two dimentional silicon photonic crystal. IJPR. 2017; 17 (4) :573-583
URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-1985-fa.html
دانشور میثم، رستم نژادی علی. ساختار نواری و تابش گرمایی بلور فوتونیکی دو بعدی سیلیکونی. مجله پژوهش فيزيك ايران. 1396; 17 (4) :573-583

URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-1985-fa.html


پژوهشکده الکتروسرام، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، شاهین شهر، اصفهان ، meysamdaneshvar@gmail.com
چکیده:   (140 مشاهده)

در این تحقیق ساختار نواری، خواص اپتیکی و طیف تابش گرمایی بلور فوتونیکی دوبعدی سیلیکونی حفره‌ای با ساختار شش گوشی محاسبه شده است. ساختار نواری، نقشه و اندازه گاف نواری به روش بسط امواج تخت بر حسب شعاع محاسبه شده است. برای این بلور فوتونیکی با ثابت شبکه a، بیشینه گاف قطبش‌های TE و TM و بیشینه گاف کامل به ترتیب 51%، 20% و 17% و مربوط به شعاع‌های a43/0 و a50/0 و a48/0 می‌باشد. با محاسبه طیف جذب به روش FDTD و با استفاده از قانون کیرشهف، طیف تابش گرمایی در ناحیه m 1µتا m 10µ محاسبه شده است. نتایج به دست آمده نشان می‌دهد که با تنظیم پارامترهای هندسی شبکه، می‌توان ساختار نواری بلور فوتونیکی سیلیکونی را مهندسی نمود و طیف تابش گرمایی را به نحوی کنترل نمود که در سیستم‌های ترموفوتوولتایی قابل استفاده باشد.

متن کامل [PDF 968 kb]   (50 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
کد امنیتی را در کادر بنویسید

ارسال پیام به نویسنده مسئول


کلیه حقوق این وب سایت متعلق به مجله پژوهش فیزیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2015 All Rights Reserved | Iranian Journal of Physics Research

Designed & Developed by : Yektaweb

تحت نظارت وف بومی آسپا-وف