جلد 17، شماره 4 - ( مجله پژوهش فيزيك ايران، پاييز 1396 )                   جلد 17 شماره 4 صفحات 573-583 | برگشت به فهرست نسخه ها

DOI: 10.29252/ijpr.17.4.573


XML English Abstract Print


پژوهشکده الکتروسرام، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، شاهین شهر، اصفهان ، meysamdaneshvar@gmail.com
چکیده:   (3688 مشاهده)

در این تحقیق ساختار نواری، خواص اپتیکی و طیف تابش گرمایی بلور فوتونیکی دوبعدی سیلیکونی حفره‌ای با ساختار شش گوشی محاسبه شده است. ساختار نواری، نقشه و اندازه گاف نواری به روش بسط امواج تخت بر حسب شعاع محاسبه شده است. برای این بلور فوتونیکی با ثابت شبکه a، بیشینه گاف قطبش‌های TE و TM و بیشینه گاف کامل به ترتیب 51%، 20% و 17% و مربوط به شعاع‌های a43/0 و a50/0 و a48/0 می‌باشد. با محاسبه طیف جذب به روش FDTD و با استفاده از قانون کیرشهف، طیف تابش گرمایی در ناحیه m 1µتا m 10µ محاسبه شده است. نتایج به دست آمده نشان می‌دهد که با تنظیم پارامترهای هندسی شبکه، می‌توان ساختار نواری بلور فوتونیکی سیلیکونی را مهندسی نمود و طیف تابش گرمایی را به نحوی کنترل نمود که در سیستم‌های ترموفوتوولتایی قابل استفاده باشد.

متن کامل [PDF 968 kb]   (957 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي