جلد 18، شماره 3 - ( مجله پژوهش فيزيك ايران، پاييز 1397 )                   جلد 18 شماره 3 صفحات 401-407 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


باشگاه پژوهشگران جوان و نخبگان، واحد شیراز، دانشگاه آزاد اسلامی شیراز، شیراز ، jokar.azita@yahoo.com
چکیده:   (1281 مشاهده)

در این پژوهش، نانوسیم­های مغناطیسی نیکل به روش الکتروانباشت پالس acدرون قالب آلومینای آندی  ساخته شده به روش آندایز دو‌مرحله­ای رشد داده شدند. لایه سدی کف حفره­ ها در یک آندایز غیرتعادلی بر اساس یک تابع نمایی تا ولتاژهای 8، 12، 16و 20 ولت نازک‌سازی شد. نمونه با شرایط الکتروانباشت عبارت‌اند از، جریان ثابت 15 میلی‌آمپر، زمان خاموشی 48 میلی‌ثانیه با دماهای بستر 10 و 20 درجه سانتی‌گراد و دمای الکترولیت 30 درجه سانتی‌گراد تهیه گردید. و تاثیر ولتاژ نازک‌سازی لایه سدی و دمای بستر روی بازده الکتروانباشت مورد بررسی قرارگرفت و از آنالیزهایVSM  و SEM استفاده شده است. در این پژوهش متوجه شدیم که در دمای بستر 10 درجه سانتی‌گراد با افزایش ضخامت لایه سدی، بازده نهشت کاهش می‌یابد و در دمای 20 درجه نتیجه عکس خواهد بود.
 
 

متن کامل [PDF 691 kb]   (271 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي