جلد 17، شماره 3 - ( مجله پژوهش فيزيك ايران، تابستان 1396 )                   جلد 17 شماره 3 صفحات 457-463 | برگشت به فهرست نسخه ها


XML English Abstract Print


دانشگاه صنعتی اصفهان ، sahebsara@cc.iut.ac.ir
چکیده:   (2516 مشاهده)

در این مقاله با استفاده از رهیافت تابع گرین، ترابرد را در یک دیود تونل‌زنی تشدیدی دوقطبی را در نظریه میکروسکوپی بررسی نموده‌ایم. برای این منظور با در نظر گرفتن هامیلتونی قسمت‌های مختلف دستگاه فوتوولتایی p-i-n به تفصیل، تابع گرین تک‌ذره‌ای الکترون‌ها و حفره‌ها را در تقریب تنگابست محاسبه کرده و سپس با استفاده از این تابع گرین محاسبه شده، چگالی موضعی حالت‌ها و چگالی جریان را به دست آورده‌ایم. نتایج نشان‌دهنده یک رفتار غیراهمی بوده و بیانگر یک مقاومت منفی در دیودهای تشدیدی تونل زنی است. علاوه بر این نتایج نشان می‌دهند که وجود یک میدان الکتریکی طولی منجر به این می‌شود که چگالی محلی حالت‌ها متناسب با پتانسیل اعمال شده تغییر نماید. علاوه بر این وارد نمودن نقاط کوانتومی باعث می‌شود که مقاومت دیفرانسیلی منفی ناشی از پدیده‌ تونل‌زنی تشدیدی در دستگاه مشاهده شود. از نتایج محاسبات بر روی این دیودها می‌توان در محاسبه جریان تاریک سلول‌های خورشیدی استفاده نمود.

متن کامل [PDF 370 kb]   (631 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي