جلد 16، شماره 3 - ( مجله پژوهش فيزيك ايران، پاییز 1395 )                   جلد 16 شماره 3 صفحات 75-86 | برگشت به فهرست نسخه ها


XML English Abstract Print


گروه شیمی فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه ملایر، ملایر ، mrsameti@maleru.ac.ir
چکیده:   (3407 مشاهده)

در این تحقیق با استفاده از نظریه تابع چگالی، پارامترهای الکتریکی، ساختاری، کوانتومی و تشدید مغناطیس هسته‌ای(NMR) مربوط به برهم‌کنش گاز N2O بر روی وضعیت اتم‌های B و P حالت‌های خالص و آلایش یافته با Si، Ga و SiGa نانولوله آرمچیر(4 و4) بور فسفید(BPNTs) مورد بررسی قرار گرفته است. برای این منظور هفت مدل جذبی را بر روی سطح خارجی نانو لوله بور فسفید در نظر گرفته و سپس تمام ساختارهای مورد مطالعه را با استفاده از روش B3LYP و توابع بنیادی(d)  G 31-6 بهینه نمودهایم. ساختار‌های بهینه شده برای محاسبه پارامترهای الکتریکی، ساختاری، کوانتومی و NMR مورد استفاده قرار گرفته‌اند. نتایج حاصل نشان میدهد که مقادیر انرژی‌های جذب تمام مدل‌های مورد مطالعه منفی بوده، گرماده هستند و از نظر ترمودینامیکی مساعد میباشند. هنگامی که گاز N2O از سر اکسیژن خود جذب اتم بور نانولوله گردد، این گاز به اکسیژن اتمی و نیتروژن مولکولی تفکیک می‌شود، در این حالت انرژی جذب بیشتر از سایر مدل‌ها بوده لذا از سایر مدل‌ها نیز پایدارتر است. در مدل‌های جذبیA ، B و C پارامتر سختی کروی نانولوله کاهش قابل توجهی را نسبت به حالت اولیه نشان میدهد که بیانگر افزایش واکنش پذیری و فعالیت نانو لوله است. همچنین در این مدل‌ها مقدار الکترونخواهی، پتانسیل شیمیایی، الکترونگاتیویته و پارامتر نرمی افزایش قابل ملاحظهای را نسبت به حالت اولیه نشان می‌دهند. نتایج حاصل از محاسبات NMR نشان میدهد مقادیرCSI در مدل C از سایر مدل‌ها بیشتر است. نتایج این تحقیق نشان می دهد نانولولههای بور فسفید آلایش یافته با Si ، Ga و SiGa انتخاب مناسبی برای جذب و تهیه حسگر گاز N2O میباشند

واژه‌های کلیدی: BPNTs، DFT، NMR، جذب N2O، آلایش یافتهGa، Si وSiGa
متن کامل [PDF 1032 kb]   (975 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي