جلد 18، شماره 3 - ( مجله پژوهش فيزيك ايران، پاييز 1397 )                   جلد 18 شماره 3 صفحات 493-493 | برگشت به فهرست نسخه ها


XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Amirabbasi M, Abdolhosseini Sarsari E. The electrical transport properties in ZnO bulk, ZnMgO/ZnO and ZnMgO/ZnO/ZnMgO heterostructures . IJPR. 2018; 18 (3) :493-493
URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-2219-fa.html
امیرعباسی محمد، عبدالحسینی سارسری اسماعیل. خواص ترابرد الکتریکی در نیم‌رسانای کپه‎‌ای ZnO و ساختارهای ناهمگون C/ZnO و ZnMgO/ZnO/ZnMgO . مجله پژوهش فيزيك ايران. 1397; 18 (3) :493-493

URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-2219-fa.html


دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان، اصفهان ، m.amirabbasi@ph.iut.ac.ir
چکیده:   (1064 مشاهده)
در این مقاله، به بررسی نظری خواص ترابری الکتریکی داده‌های تجربی گزارش شده (مرجع [20])، مربوط به نیم‌رسانای کپه‌ای ZnO
و ساختارهای ناهمگون با چاه پتانسیل تکی و دوگانه ZnMgO/ZnO/ZnMgO
و ZnMgO/ZnO
پرداخته شده و مهم‌ترین پارامترهای پراکندگی کنترل کننده تراکم و تحرک الکترونی به دست آمده‌اند. بدین ‌منظور از سازوکارهای پراکندگی ذاتی نظیر فنون‌های اپتیکی- قطبی، فنون‌های پیزوالکتریک و پتانسیل تغییر شکل آکوستیکی و پراکندگی غیرذاتی نظیر ناخالصی‌های یونیزه، در رفتگی‌ها و میدان‌های کرنشی- القایی استفاده شده است. به منظور از بین بردن اثرات لایه تبهگن در سطح مشترک ZnO/sapphire
داده‌های تجربی مربوط به نیم‌رسانای کپه‌ای ZnO
با استفاده از مدل دولایه‌ای اثر هال تصحیح شده‌اند. همچنین، تراکم بخشنده‌ها و پذیرنده‌ها و انرژی فعالسازی مربوط به آنها با استفاده از معادله خنثایی بار به دست آمده‌اند. نتایج به دست آمده حاکی از آن است که برای دماهای کوچکتر از 50 کلوین، رسانش جهشی سازوکار رسانندگی غالب می‌باشد و پراکندگی ناشی از دررفتگی‌ها کنترل کننده رفتار دمایی تحرک الکترونی در سرتاسر گستره دمایی می‌باشد. در مورد ساختار‌های ناهمگون، نتایج به دست آمده نشان می‌دهد که افزایش تحرک الکترونی در نمونه با چاه پتانسیل دوگانه نسبت به نمونه با چاه پتانسیل تکی به کاهش تراکم در رفتگی‌ها، تراکم ناخالصی‌ها در چاه پتانسیل، بار سطح مشترک و میدان های کرنشی- القایی نسبت داده می‌شود که در نتیجه محصور سازی الکترونی قویتر در کانال رسانشی به دست آمده است. 
 
متن کامل [PDF 279 kb]   (248 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: فیزیک نیمه هادیها

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA code

ارسال پیام به نویسنده مسئول


کلیه حقوق این وب سایت متعلق به مجله پژوهش فیزیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2019 All Rights Reserved | Iranian Journal of Physics Research

Designed & Developed by : Yektaweb