جلد 8، شماره 4 - ( 9-1387 )                   جلد 8 شماره 4 صفحات 241-248 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Minaeifard S, Dariani R. Simulation of doping type and current density effects on porous silicon growth by modified limited diffusion aggregation method. IJPR. 2008; 8 (4) :241-248
URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-298-fa.html
مینائی فرد سکینه، ثابت داریانی رضا. شبیه‌سازی اثرات نوع آلایش و چگالی جریان در رشد سیلیکان متخلخل به روش اصلاح شده انبوهش پخش محدود. مجله پژوهش فيزيك ايران. 1387; 8 (4) :241-248

URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-298-fa.html


چکیده:   (12048 مشاهده)

  هدف از این مقاله وارد کردن اصلاحاتی به مدل انبوهش پخش محدود می‌باشد که بتواند اثرات نوع آلایش و چگالی جریان را درشکل ساختارهای به‌دست آمده طی رشد سیلیکان متخلخل شبیه‌سازی کند. برای تأثیر نوع آلایش, ضریب چسبندگی و برای تأثیر چگالی جریان, پارامتر میدان متوسط را به مدل انبوهش پخش محدود اعمال کردیم. نتایج شبیه‌سازی نشان می‌دهند که پارامتر ضریب چسبندگی در کنترل ضخامت خلل مؤثر است در حالی‌که پارامتر میدان متوسط ویژگی درختی یا میله‌ای بودن خلل را کنترل می‌کند. نتایج آن بر روی شبیه‌سازی رشد سیلیکان متخلخل, نشان داد اصلاحات اعمال شده با تأثیر این دو پارامتر در شکل ساختارهای شبیه سازی شده با نتایج نمونه‌های تجربی به‌دست آمده توافق و سازگاری دارند.

متن کامل [PDF 329 kb]   (1559 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA code

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به مجله پژوهش فیزیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2019 All Rights Reserved | Iranian Journal of Physics Research

Designed & Developed by : Yektaweb