نویسندگان

دانشگاه صنعتی اصفهان

چکیده

  در این مقاله لایه‌‌ نازک ZnO به روش سل ‎ ژل بر روی زیرلایه شیشه ساخته شده است. لایه ‎ های اولیه ابتدا در دمای 100 و ˚C 240 خشک و سپس در دماهای 300 ، 400 و ˚C 500 پخت شده‌اند. اندازه ‎ گیری مقاومت دو نقطه ‎ ای نشان می ‎ دهد که مقاومت الکتریکی لایه ‎ های آماده شده، بسیار زیاد است. تابش پرتو لیزر اگزایمر KrF ( 248nm = λ ) با تعداد پالس 1000 ، فرکانس 1Hz و انرژی 90mJ/cm2 بر سطح لایه باعث کاهش مقاومت الکتریکی لایه می‌شود. طیف پراش پرتو ایکس ( XRD ) بهبود ساختار هگزاگونال ورتسایت لایه را تأیید می‌کند، و آنالیز AFM و FE-SEM شکل ‎ گیری منظم و دایروی دانه ‎ ها بر سطح لایه را نشان داد. اندازه ذرات بعد از تابش لیزر از 10nm ~ به 30nm ~ افزایش پیدا می‌کند. به طور کلی، نشان داده شده است که، ویژگی ‎ های ساختاری، الکتریکی و مورفولوژی لایه ‎ ها با تابش لیزر به طور قابل ملاحظه ‎ ای بهبود می ‎ یابد.

کلیدواژه‌ها

عنوان مقاله [English]

The effect of laser irradiation on electrical and structural properties of ZnO thin films

نویسندگان [English]

  • F Eskandari
  • M Ranjbar
  • P Kameli
  • H Salamati

چکیده [English]

 In this paper, ZnO thin film was prepared by sol-gel process on glass substrates. The deposited films were dried at 100 and 240 ˚C and then annealed at 300, 400 and 500 ˚C. The two-probe measurement showed that resistance of as-prepared films is very high. The KrF excimer (λ=248 nm) laser irradiation with 1000 pulses, frequency of 1 Hz and 90 mJ/cm2 energy on surface of film resulted in the reduction of the films electrical resistance. X-ray diffraction (XRD) patterns confirmed the improved hexagonal wurtzite structure of film, and AFM and FE-SEM analyses showed regular and spherical grain was formed on the surface. The particle size was increased from ~10 to ~30 nm after leaser irradiation. Generally, it was showed that electrical, structural and morphological properties of films improve considerably by laser irradiation.

کلیدواژه‌ها [English]

  • ZnO thin films
  • transparent conductor oxide
  • pulsed laser
  • XRD
  • AFM

تحت نظارت وف بومی