نویسندگان
دانشگاه صنعتی اصفهان
چکیده
در این مقاله لایه نازک ZnO به روش سل ژل بر روی زیرلایه شیشه ساخته شده است. لایه های اولیه ابتدا در دمای 100 و ˚C 240 خشک و سپس در دماهای 300 ، 400 و ˚C 500 پخت شده‌اند. اندازه گیری مقاومت دو نقطه ای نشان می دهد که مقاومت الکتریکی لایه های آماده شده، بسیار زیاد است. تابش پرتو لیزر اگزایمر KrF ( 248nm = λ ) با تعداد پالس 1000 ، فرکانس 1Hz و انرژی 90mJ/cm2 بر سطح لایه باعث کاهش مقاومت الکتریکی لایه می‌شود. طیف پراش پرتو ایکس ( XRD ) بهبود ساختار هگزاگونال ورتسایت لایه را تأیید می‌کند، و آنالیز AFM و FE-SEM شکل گیری منظم و دایروی دانه ها بر سطح لایه را نشان داد. اندازه ذرات بعد از تابش لیزر از 10nm ~ به 30nm ~ افزایش پیدا می‌کند. به طور کلی، نشان داده شده است که، ویژگی های ساختاری، الکتریکی و مورفولوژی لایه ها با تابش لیزر به طور قابل ملاحظه ای بهبود می یابد.
کلیدواژه‌ها
عنوان مقاله [English]
The effect of laser irradiation on electrical and structural properties of ZnO thin films
نویسندگان [English]
- F Eskandari
- M Ranjbar
- P Kameli
- H Salamati
چکیده [English]
In this paper, ZnO thin film was prepared by sol-gel process on glass substrates. The deposited films were dried at 100 and 240 ˚C and then annealed at 300, 400 and 500 ˚C. The two-probe measurement showed that resistance of as-prepared films is very high. The KrF excimer (λ=248 nm) laser irradiation with 1000 pulses, frequency of 1 Hz and 90 mJ/cm2 energy on surface of film resulted in the reduction of the films electrical resistance. X-ray diffraction (XRD) patterns confirmed the improved hexagonal wurtzite structure of film, and AFM and FE-SEM analyses showed regular and spherical grain was formed on the surface. The particle size was increased from ~10 to ~30 nm after leaser irradiation. Generally, it was showed that electrical, structural and morphological properties of films improve considerably by laser irradiation.
کلیدواژه‌ها [English]
- ZnO thin films
- transparent conductor oxide
- pulsed laser
- XRD
- AFM
)