نویسندگان

• یاسین یکتا
• اسفندیار رجایی
• زهرا دانش

چکیده

در این مقاله مشخصه‌های پهنای نوار مدولاسیون لیزر نقطه کوانتومی InGaAs/GaAs به صورت نظری مورد بررسی قرار گرفته است. شبیه‌سازی‌ها با استفاده از روش رانگ کوتا مرتبه چهارم انجام گرفته است. اثر طول عمر واهلش حامل‌ها، دما، چگالی جریان بر مشخصه‌های لیزر‌های نیمه رسانای نقطه کوانتومی تزریق تونلی (TIL)1 و بدون تزریق تونلی (CL)2 بررسی شده‌اند. نتایج نشان می‌دهند که تزریق تونلی در لیزر‌های نقطه کوانتومی موجب افزایش پهنای نوار مدولاسیون می‌شود که برای استفاده در سیستم‌های مخابرات فیبر نوری بسیار مفید است.

کلیدواژه‌ها

• لیزر نقطه کوانتومی
• تونل زنی تزریقی
• تأخیر زمان روشن شدن
• پهنای نوار مدولاسیون
• طول عمر واهلش حامل‌ها
• چگالی جریان

عنوان مقاله [English]

Effect of tunneling injection on the modulation response of quantum dot lasers

نویسندگان [English]

• Y. Yekta kiya
• E. Rajaee
• Z. Denesh

چکیده [English]

In this paper, modulation bandwidth characteristics of InGaAs/GaAs quantum dot (QD) laser were theoretically investigated. Simulation was done by using the fourth order Runge-Kutta method. Effect of carrier relaxation life time, temperature and current density on characteristics of tunneling injection QD laser (TIL) and conventional QD laser (CL) were analyzed. Results showed that tunneling injection in QD laser increases the modulation bandwidth indicating that it is very useful for using in the fiber optic communication systems.

کلیدواژه‌ها [English]

• quantum dot laser
• tunneling injection
• turn on delay
• modulation bandwidth
• carrier relaxation life time
• current density