نویسندگان

چکیده

در این مقاله نظریه تشدید تونلی در چند لایه های Al(x)Ga(1-x)As/GaAs, بررسی شده است. طیف انرژیهای تشدید و وابستگی آن به ساختمان سد از روی منحنیهای عبور سد, برحسب انرژی و مشخصه جریان - ولتاژ در دمای مشخص و سطوح فرمی معین, آنالیز شده است. فرمالیزم حاضر براساس تقریب جرم موثر است و نتایج براساس محاسبات عددی مستقیم به دست آمده است. تا به حال توسط دیگران این محاسبات برای حالت 3 سد انجام شده است و در این مقاله برای 4 سد و 5 سد پتانسیل, منحنی ضریب عببور را بر حسب انرژی در ولتاژهای بایاس مختلف و دماهای متفاوت و همچنین در انرژیهای پایین بررسی کرده ایم.

کلیدواژه‌ها

عنوان مقاله [English]

Evaluation of resonant tunneling transmission coefficient from multilayer structures GaAlAs/GaAs

نویسندگان [English]

  • L. Moghaddasi
  • A. Morteza ali
  • R. Sabet-Dariani

چکیده [English]

  A theoretical study of resonant tunneling in multilayered GaAlAs/GaAs structures are presented. The spectrum of resonant energies and its dependence on the barrier structure are analyzed from calculated profiles of barrier transparency versus energy, and from current voltage characteristics computed at selected temperatures and Fermi levels. The present formalism is based on the effective mass approximation and results are via direct numerical evaluations.

کلیدواژه‌ها [English]

  • transmission coefficient
  • multilayer structures
  • ultra thin film semiconductor

تحت نظارت وف بومی