نویسنده

چکیده

ویژگیهای غیر متقارن بودن کمیات مختلف فیزیکی در حالتهای بهنجار و ابررسانایی بین کوپراتهای ابررسانای دمای بالای الکترون – آلاییده, مدتها یک موضوع تردید برانگیزی بوده است. بررسی این موضوع نه تنها در درک سازوکار ابررسانایی دمای بالا, بلکه در درک طبیعت عایقهای آلاییده مات بسیار پر اهمیت است. در این مقاله وضعیت فعلی درک نظری از حالتهای الکترونی کوپراتهای دمای بالای حفره – آلاییده و الکترون – آلاییده و نیز منشا عدم تقارن الکترون – حفره در حالتهای الکترونی ارایه گردیده است. به ویژه, نشان داده شده است که محاسبات عددی قطری سازی دقیق برای خوشه های کوچک در یک مدل t-J با پرشهای بلند برد t , t, به زیبایی عدم تقارن الکترون – حفره که در آزمایشها شناخته شده است را در کمیات مختلف باز تولید می کند. و از آنجا می توان منشا فیزیکی عدم تقارن را استخراج کرد. این نتایج یک دید عمیق از رفتارهای عدم تقارن در کوپراتهای دمای گذار بالای حفره – آلاییده و الکترون – آلاییده و طبیعت عایقهای آلاییده مات را به دست می دهد.

کلیدواژه‌ها

عنوان مقاله [English]

Electron-hole asymmetry in high-Tc cuprates from theoretical viewpoints

نویسنده [English]

  • T. Tohyama

چکیده [English]

  Asymmetric features of various physical quantities in the normal and superconducting states between hole- and electron-doped cuprate high-temperature superconductors have been an issue of debate for a long time. Their exploration is very important for the understanding not only of the mechanism of high-Tc superconductivity but also of the nature of doped-Mott insulators. Presented in this review is the present status of theoretical understanding of the electronic states in hole- and electron-doped high- Tc cuprates as well as the origin of the electron-hole asymmetry of the electronic states. In particular, it is shown that numerically exact diagonalization calculations for small clusters in a t-J model with long-range hoppings, t and t nicely reproduce the electron-hole asymmetry observed experimentally in various quantities and thus make it possible to extract the physical origin of the asymmetry. These results give a deep insight on the asymmetric behaviors in hole- and electron-doped high-Tc cuprates and on the nature of doped Mott insulators.

کلیدواژه‌ها [English]

  • electron-hole asymmetry

تحت نظارت وف بومی