نویسندگان

• علی اصغر شکری ¹
• زهرا کریمی ²

¹ دانشگاه پیام نور تهران

² دانشگاه آزاد اسلامی تهران شمال

چکیده

  در این مقاله، به بررسی ساختار نواری و چگالی حالات الکترونی ابرشبکه های نانولوله کربنی تک دیواره n(12,0)/m(6,6) و n(12,0)/m(11,0) می پردازیم که از اتصال نانولوله‌های زیگزاگ و دسته صندلی (آرمچیر) ایجاد می شوند. در ناحیه فصل مشترک، نقص های توپولوژیکی جفت پنج- هفت ضلعی در شبکه شش گوشی کربن ظاهر می شوند. این نقص ها باعث بر هم زدن تقارن سیستم شده و در نتیجه منجر به تغییر خواص الکتریکی ابرشبکه ها می شوند. محاسبات شامل دو بخش می شوند: بررسی ساختارهای مورد نظر در حضور و در غیاب اتم ناخالصی که بر مبنای تقریب بستگی قوی با نزدیک ترین همسایه انجام گرفته اند. تحت چنین شرایطی انرژی فرمی تغییر کرده و سیستم خاصیت فلزی و یا نیم رسانا پیدا می کند. نتایج محاسبات ممکن است در طراحی ادوات نانوالکترونیکی مبتنی بر نانولوله های کربنی مفید باشد.

کلیدواژه‌ها

• ابرشبکه های نانولوله‌های کربنی
• تقریب بستگی قوی
• ساختار نوار الکترونی
• نقص های توپولوژیکی
• اثر ناخالصی

عنوان مقاله [English]

Influence of impurity on electronic properties of carbon nanotube superlattices

نویسندگان [English]

• AA Shokri ¹
• Z Karimi ²

چکیده [English]

  In this paper, electronic properties of single-wall armchair and zigzag carbon nanotubes (CNTs) superlattices, n(12,0)/m(6,6) and n(12,0)/m(11,0) are investigated. For this reason, the topological defects of pentagon–heptagon pairs at interfaces of carbon hexagonal network appear. These defects break the symmetry of the system, and then change the electrical properties. The calculations include two parts: investigation of the structures in the absence and presence of the impurity effect, which are calculated by the nearest-neighbor tight binding model . Out numerical results can be useful in designing nanoelectronic devices based on carbon nanotubes.

کلیدواژه‌ها [English]

• carbon nanotube superlattices
• tight-binding approximation
• electronic band structure
• topological defects
• impurity effects