نویسندگان

• نرگس بیگ محمدی
• محمدهادی ملکی

سازمان انرژی اتمی ایران

چکیده

  لایه های نانوساختار 2 SnO -2 TiO به روش باریکه الکترونی روی زیرلایه هایی از جنس شیشه و آلومینیوم/شیشه لایه نشانی شدند. خلأ موردنیاز در فرآیند لایه نشانی 5 - 10 × 5 / 1 تور در نظرگرفته شد، سپس لایه ها تحت عملیات بازپخت در دماهای 450 ، 500 و 550 درجه سانتی‌گراد قرار گرفتند. ساختار بلوری و مورفولوژی لایه ها توسط آنالیزهای XRD و SEM بررسی گردید. خواص الکتریکی ( I-V ) و اپتیکی لایه ها نیز توسط سیستم نگهدارنده دو سوزنی و طیف سنج UV/Vis/IR مطالعه شد. نتایج نشان داد که تحت دمای بازپخت 550 درجه سانتی‌گراد لایه ها بلورینگی بهتری داشتند. ضخامت و ابعاد دانه در هر دو نمونه به ترتیب حدود 35 و 48 نانومتر گزارش شد. رسانش الکتریکی در نمونه هایی با زیرلایه آلومینیوم/شیشه تحت بازپخت 550 درجه سانتی‌گراد نسبت به دیگر لایه ها بهتر بود. گاف انرژی نیز با افزایش دما از 4.05 به 4.03 الکترون ولت برای حالت مستقیم کاهش یافت.

کلیدواژه‌ها

• لایه نازک
• باریکه الکترونی
• زیر لایه
• فرآیند بازپخت

عنوان مقاله [English]

Influence of annealing temperature on the nanostructure TiO2-SnO2 prepared by electron gun method on the glass substrate and the aluminum/glass

نویسندگان [English]

• N Beigmohammadi
• MH Maleki

چکیده [English]

 TiO2-SnO2 thin films were coated on glass and Al / glass substrates by electron gun method. In coating process, the vacuum was 1.5×10-5 torr. Then, films were annealed at 450, 500 and 550 ˚ C. The crystallographic structure and film morphology were investigated by means of XRD and SEM. The electrical (I-V) and optical properties were studied by the two point props system and UV/Vis/NIR spectrophotometer. The results showed the films under 550 ˚ C were crystalline. The thickness and grain size were 350 and 50 nm respectively. The electrical conductivity in the sample with Al / glass substrate under 550 ˚ C was better than the other samples. When temperature increased, the energy gap decreased from 4.05 to 4.03 eV for direct cases.

کلیدواژه‌ها [English]

• thin film
• electron gun
• substrate
• annealing process