نویسندگان
پژوهشکده فناوری نانو و مواد پیشرفته، پژوهشگاه مواد و انرژی، کرج
چکیده
sio2در این مقاله به بررسی رفتار نوری لایه‌های نازک
(TEOS )تهیه شده به‌روش سل ژل چرخشی با استفاده از پیش ماده تترااتیل اورتوسیلیکات
، در دماهای مختلف(600– 400) درجه سانتی‌گراد پرداخته شده
UV-Vis است. از نتایج حاصل از آزمون
برای به‌دست آوردن لبه جذب و گاف انرژی لایه‌ها و از آزمون بیضی سنجی (الیپسومتری) برای به‌دست آورن ضریب شکست نوری و ضرایب دی الکتریک آنها استفاده شد. نتایج نشان داد که لایه‌های نازک سیلیکا به‌دست آمده از این روش دارای عدد سطح ویژه و درصد تخلخل بالای بین 9/4 و 2/16، چگالی کم 2 و ضریب دی الکتریک پایین 2 است. همچنین با افزایش دما ثابت دی الکتریک و درصد تخلخل لایه‌ها افزایش یافته است که علت این امر تغییرات زبری سطح و اندازه ذرات می‌باشد.
کلیدواژه‌ها
عنوان مقاله [English]
Investigation of SiO2 thin films dielectric constant using ellipsometry technique
نویسندگان [English]
- P Sangpour
- K Khosravy
- M Kazemzad
چکیده [English]
In this paper, we studied the optical behavior of SiO2 thin films prepared via sol-gel route using spin coating deposition from tetraethylorthosilicate (TEOS) as precursor. Thin films were annealed at different temperatures (400-600oC). Absorption edge and band gap of thin layers were measured using UV-Vis spectrophotometery. Optical refractive index and dielectric constant were measured by ellipsometry technique. Based on our atomic force microscopic (AFM) and ellipsometry results, thin layers prepared through this method showed high surface area, and high porosity ranging between 4.9 and 16.9, low density 2 g/cm, and low dielectric constant. The dielectric constant and porosity of layers increased by increasing the temperature due to the changes in surface roughness and particle size.
کلیدواژه‌ها [English]
- ellipsometry
- sol - gel
- dielectric constant
- SiO2 thin film
[2]. L.W. Hrubesh, J. Non-Cryst. Solids 225 (1998) 335.
[3]. John Robertson, High dielectric constant gate oxides for metal oxide Si transistors, (2006) Rep. Prog. Phys. 69327.
[4]. R.S.List,CJinS.W. Russell, S. Yamanaka, L.Olsen, L.Le, L.M.Ting, R.H. Havemann, Symposium on VLSI technology, Dig. Tech. Pap. 77 .(1997).
[5]. Congmian Zhen,Z He Xiangfu Nie Yinyue Wang, Low dielectric constant nanoporous SiO2 films formed bytwice-modification processing.Materials Letters, (2005). 59: p.1470–1473.
[6]. CVD of Nonmetals, W. S. Rees Jr., Editor,VCH, Weinheim (1996).
[7]. Sol-gel processing an alternative wayto glasses for optoelectronics Hans Roggendorf and Helmut Schmidt[Fraunhofer-Institut fur Silicatforschung Neunerplatz 2, D-8700 Wurzburg, F.R.G.( 1989).
[8]. Woei Chang Ee, Kuan Yew Cheong. Effects of annealing temperature on ultra-low dielectric constant SiO2thin films derived fromsol–gelspin-on-coatingPhysica B:Condensed Matter.(2008).p.611-615.
[9]. A.V. Rao, R.R. Kalesh, Sci. Technol. Adv. Mater. 4(2003) 509.
[10]. L.W. Hrubesh, L.E.K., V.R. Latorre, , J. Mater. Tes., (1993). 8: p. 1736.
[11]. FTIR analysis of silicon dioxide thin film deposited by Metal organic-based PECVD.auther: B. Shokri , M. Abbasi Firouzjah, S. I. Hosseini.ISPC19 - (2009), Bochum.
[12].Ömer Kesmez, Esin Burunkaya, Nadir Kiraz,H. Erdem Çamurlu, Effect of acid, water and alcohol ratios on sol-gel preparation of antireflective amorphous SiO2 coatings, Journal of Non-Crystalline Solids, August (2011), P. 3130–3135.
)