نویسندگان

1 پژوهشکده لیزر و اپتیک، تهران

2 دانشکده فیزیک، دانشگاه علم و صنعت، تهران

3 پژوهشگاه پلیمر و پتروشیمی، تهران

چکیده

پارامترهای تابش لیزر به‌ویژه شاریدگی و تعداد پالس در ایجاد میکروساختارهای مختلف روی سطوح پلیمری در اثر تابش و در نتیجه بهبود خواص سطح در استفاده از آن در پزشکی، الکترونیک و دیگر صنایع اهمیت قابل ملاحظه‌ای دارد. اطلاع از محدوده‌های مختلف شارش و تعداد پالس در ایجاد ساختارهای مختلف از موارد مهم در تعیین اثرات مطلوب و یا ناخواسته تابش روی سطح به‌منظور استفاده از آن در کاربردهای مختلف است. در این مقاله فیلم پلی‌اترسولفون با لیزر XeCl در شارش‌های مختلف و بالای آستانه کندگی مورد تابش و ساختارهای مختلف ایجاد شده در اثر برهم‌کنش در شارش و تعداد پالس متفاوت مورد بررسی قرار گرفت

کلیدواژه‌ها

عنوان مقاله [English]

Formation of different microstructures on a polyethersulfone film following XeCl laser irradiation

نویسندگان [English]

  • H Pazokian 1
  • M Mollabashi 2
  • S Jelvani 1
  • J Barzin 3
  • SH Abolhoseini 1

چکیده [English]

Laser irradiation parameters, especially the laser fluence and the number of pulses are very important factors affecting microstructures formation and improvement of the surface characteristics in different medical, electronic and the other industrial applications. Information about the fluence domain and the number of pulses for the formation of the structures is very important and determines the desirable or unwanted effects of the laser irradiation on the surfaces regarding the desired applications. In this paper Polyethersulfone films were irradiated with a XeCl laser at fluences above the ablation threshold. The effects of the laser fluence and the number of pulses on the formation of different microstructures on the surface were investigated

کلیدواژه‌ها [English]

  • polyethersulfone
  • XeCl laser
  • microstructure
  • Cone- periodic ripples

References 1. Y Kawamura, K Toyoda, and S Namba, Appl. Phys. Lett. 40 (1982) 374. 2. R Srinivasan and S Mayne-Banton, Appl. Phys. Lett. 41 (1982) 576. 3. A P Mello, M A Bari, P J Prendergast, J. Mater. Pro. Thech. 24 (2002) 284. 4. D Krajnovich, J. Appl. Phys. 82 (1997) 427. 5. P Parvini, P B Jaleh, and B Sajad, Lasers and Electro-Opt Soci, LEOS. The 14th Annual Meeting of the IEEE 2 (2001). 6. B Jaleh, P Parvin, M Katoozi, Z Zamani, and A. Zare, Rad. Measure, 40, 2–6, (2005) 731. 7. Y T Chen, K Naessens, R Baets, Y Sh liao, and A A Tseng, Optical Review, 12 6 (2005) 427. 8. T Lippert and J T Dickinson, Chem. Rev. 103 (2003) 453. 9. D Y Kim, K C Lee, C Lee, and J. Korean, Phys. Soc. 44, 2 (2004) 341. 10. L L Sartinska et al., Appl. Surf. Sci, 253 (2007) 4295. 11. K Norrman, P Kingshott, B Kaeselev, and A G Siahkali, Surf. Interface Anal. 36 (2004) 1533. 12. Dattatray S Wavhal, Ellen R Fisher, Desalination 172 (2005) 189. 13. S Mok, D J Worsfold, A Founda, and T Matsuura, J. Appl. Polym. Sci. 51 (1994) 193. 14. J Pieracci, J V Crivello, and G Belfort, J. Membrane. Sci. 202 (2002) 1. 15. K S Kim, K H Lee, K Cho, and C E Park, J. Membrane. Sci. 199 (2002) 135. 16. M L Steen, L Hymas, E D Havey, N E Capps, D G Castner, and E R Fisher, J. Membrane. Sci. 188 (2001) 97. 17. D Pospiech, K Eckstein, L Haussler, H Komber, D Jehnichen, and K Grundke, Macromol. Chem. Phys. 200 (1999) 1311. 18. A Haruyama, J Kato, A Kameyama, Y Hirai, and Y Oda, Laser Phys. 20 (2010) 881. 19. X Jiang, H M Ge, J J Liu, and Q S Ren, Laser Phys. 21 (2011) 548. 20. H Pazokian, S Jelvani, J Barzin, M Mollabashi, and S Abolhosseini, Opt. Commun. 284 (2011) 363. 21. H Pazokian, et al, Laser Phys. 22, 5 (2012) 922. 22. H Pazokian, et al., Appl. Surf. Sci. 258 (2011) 169. 23. H Pazokian, et al., J. Micromech. Microeng. 22 (2012) 035001. 24. H Pazokian, et al., Appl Phys A, DOI 10.1007/s00339-012-7142-9 (2012). 25. H Pazokian, S Jelvani, M Mollabashi, J Barzin, and G AzizabadiFarahani, Appl. Surf. Sci. 257 (2011) 6186. 26. H Pazokian, M Mollabashi, S Jelvani, J Barzin, and Sh Abolhoseini, Optical Engineering 50 (2011) 084301. 27. T Lippert, J T Dickinson, Chem. Rev. 103 (2003) 453. 28. H Niino, A Yabe, and J. Photochem. Photobiol. A 65 (1992) 303. 29. R J van Gutfeld, F A McDonald, and R W Dreyfus, Appl. Phys. Lett. 49 (1986) 1059. 30. N Mansour and K J Ghaleh, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 74 (2002) 63. 31. J E Andrew, P E Dyer, D Forster, and P H Key, Appl. Phys. Lett. 43 (1983) 717. 32. D Bäuerle, “Laser Processing and Chemistry”, Springer, Berlin, (2000). 33. N Bityurin, E Arenholz, N Arnold, and D Bäuerle, Phys, Rev. E, 75 (2007) 041603. 34. I A Paun, A Selimis, G Bounos, G Kecskemeti, and S Georgiou, Appl. Surf. Sci. 255 (2009) 9856. 35. A Yabe, H Niino, Mol. Cryst. Liq. Cryst, 224, 1 (1993) 111. 36. E Rebollar, et al., Langmuir 27 (2011) 5596

تحت نظارت وف بومی