نویسندگان
گروه فیزیک، دانشگاه الزهرا (س)، تهران
چکیده
10 mA/cm2طیف بازتاب، چهار نمونه سیلیکان متخلخل تحت زمانهای خوردگی 2، 6، 10 و 14 دقیقه با چگالی جریاناندازه‌گیری شد. رفتار طیف بازتاب برای هر چهار نمونهیکسان، اما شدت آنها متفاوت بود و با افزایش زمان، شدت بازتاب، کاهش می‌یافت. دلیل عدم تغییر در رفتارهای طیف بازتاب ، یکسان بودن غلظت محلول الکترولیت در طول ساخت بوده و کاهش شدت بازتاب به دلیل کاهش ابعاد ذرات است. علاوه بر آن ناحیه مربوط به کمترین (550 nm-650 nm)شدت در طیف بازتابمربوط به گاف انرژی در سیلیکان متخلخل است که انتقال آبی را نیز نشان می‌دهد. بررسی زبری سطح نمونه‌های سیلیکان متخلخل با اندازه‌گیری طیف پراکندگی و با بکار بردن معیار رایلی و معادله دیویس- بنت، انجام شد. طیف پراکندگی نمونه‌ها در زاویه‌های فرود 10 و 15 و 20 درجه با استفاده از دستگاه اسپکتروفوتومتر، اندازه‌گیری شد. شدت نور پراکنده شده با افزایش زاویه پراکندگی به غیر از حالت بازتاب آینه‌ای، کاهش یافت که این با معیار رایلی توافق دارد. همچنین بررسی‌های امان نشان دادند. با افزایش زمان خوردگی، درصد تخلخل، ابعاد و تعداد حفره‌ها افزایش یافته و در نتیجه میزان بیشتری از نور برخوردی جذب می‌شود و شدت پراکندگی از سطح کاهش خواهد یافت، اما از آنجاییکه شدت پراکندگی با تغییر مقیاس مشاهده، طول موج، تغییر می‌کند بنابراین شدت پراکندگی و میزان خوردگی نیز با تغییر مقیاس مشاهده تغییر می‌کند
کلیدواژه‌ها
عنوان مقاله [English]
Correlation between porosity and roughness as obtained by porous silicon nano surface scattering spectrum
نویسندگان [English]
- R Dariani
- S Ebrahimnasab
چکیده [English]
Reflection spectra of four porous silicon samples under etching times of 2, 6, 10, and 14 min with current density of 10 mA/cm2 were measured. Reflection spectra behaviors for all samples were the same, but their intensities were different and decreased by increasing the etching time. The similar behavior of reflection spectra could be attributed to the electrolyte solution concentration which was the same during fabrication and reduction of reflection spectrum due to the reduction of particle size. Also, the region for the lowest intensity at reflection spectra was related to porous silicon energy gap which shows blue shift for porous silicon energy gap. Roughness study of porous silicon samples was done by scattering spectra measurements, Rayleigh criteria, and Davis-Bennet equation. Scattering spectra of the samples were measured at 10, 15, and 20 degrees by using spectrophotometer. Reflected light intensity reduced by increasing the scattering angle except for the normal scattering which agreed with Rayleigh criteria. Also, our results showed that by increasing the etching time, porosity (sizes and numbers of pores) increases and therefore light absorption increases and scattering from surface reduces. But since scattering varies with the observation scale (wavelength), the relationship between scattering and porosity differs by varying the observation scale (wavelength)
کلیدواژه‌ها [English]
- morphology
- scattering
- roughness
- porous silicon
2. J A Ogilvy, “Theory of Wave Scattering from Random Rough Surfaces”, Taylor & Francis (1991).
3. M Paillet, P Poncharal, and A Zahab, Phys. Rev. Lett. 94 (2005) 186801.
4. L T Canham, Appl. Phys. Lett. 57 (1990) 333.
5. H E Bennet and J O Porteus, J. Opt. Socam. 51, 2 (1960) 123.
6. A Mortezaali, R S Dariani, S Asghari, and Z Bayindir, Applied Optics 46 (2007) 495.
7. L Vina, S Logothetidis, and M Cardona, Phys. Rev. B 30 (1984) 1979.
8. S D Milani, R S Dariani, A Mortezaali, V Daadmehr, and K Robee, J Optoelectronics and Advanced Materials 8 (2006) 1216.
9. G R Jafari, P Kaghazchi, R S Dariani, A Iraji Zad, S M Mahdavi, M R Rahimi Tabar, and N Taghavinia, Journal of Statistical Mechanics 2005 (2005) P04013.
10. S K Srivastava, D Kumar, P K Singh, M Kar, V Kumar, and M Husain, Solar Energy Material & Solar Cells 94, 9 (2010) 1506.
11. J Dian, A Macek, D Niznansky, I Nemec, V Vrkoslav, T Chvojka, and I Jelinek, Applied Surface Science 238 (2004) 169.
12. Z Fekih, F Z Otmani, N Ghellai, and N E Chabanne-Sari, Moroccan Journal of Condensed Matter 7, 1 (2006) 35
)