نویسندگان
گروه فیزیک، دانشکده علومپایه، دانشگاه بینالملل امام خمینی، قزوین
چکیده
آلایش نانولولههای کربن با نیتروژن باید کنترل بیشتری بر ساختار الکترونی نانوکربن را فراهم کند. علاوه بر روشهای جایگزینی شیمیایی و قوس الکتریکی که امروزه استفاده میشود، استفاده از تابش یونی به عنوان یک راه متناوب برای ایجاد ناخالصی N به درون نانولولهها را پیشنهاد میکنیم. یونهای برخورد کننده میتوانند به طور مستقیم موقعیتهای SP < /span>2 در شبکه نانولولهها را اشغال کنند. یک راه متناوب معرفی اتمهای N نیتروژن به خاطر شعاعهای اتمی یکسان معرفی شده است. در این مطالعه بررسی نقایص ایجاد شده به وسیله تابش N2 با انرژیهای گوناگون با طیف رامان پرداخته شده است.تحلیلهای کرامرز- کرونیگ، رسانندگی الکتریکی نانولولههای کربنی چند دیواره را تعیین میکند. اندازهگیریهای الکتریکی نشان داده، که رسانندگی نمونهها به وضوح با ایجاد نقص و تشکیل پیوند N-C در MWCNTs افزایش مییابد و آلایش از طریق تابش در نانولولهها راهی برای کنترل ساختار الکترونی نانو لولههاست.
کلیدواژهها
عنوان مقاله [English]
A survey of conductivity of nanotubes indirectly doped with nitrogen using equations Kramerz-Kronig
نویسندگان [English]
- R Keshtmand
- M Khanlary
- Z Keshtmand
چکیده [English]
Doping of carbon nanotubes with nitrogen should provide more control over the nanocarbon electronic structure. In addition to the chemical and arc-discharge alternative methods used nowadays, we suggest ion irradiationas an alternative way to introduce N impurities into nanotubes. The impinging ions can directly occupy the sp < sup>2 positions in the nanotube atomic network. As an alternative way N nitrogen atoms are introduced due to the same atomic radius. In this work we studied the defects caused by exposure to N2 with various energies with the Raman spectroscopy. Kramers–Kronig analysisis determined the optical conductivityof multiwall carbon nanotudes. Electrical measurements showed that conductivity of samples increases with enhancement of irradiation of MWCNTs, clearly due to creation of more defects and N-C and irradiation-mediated doping of nanotubes is a promising way to control the nanotubes electronic structure.
کلیدواژهها [English]
- carbon nanotube
- electricty conductor
- FTIR
- Raman
2. N Edward and J Neil, Materials 3 (2010) 2141.
3. C Hong, J Lee, P Kalappa, and S Advani, Com. Sci. Tech. 67 (2007) 1027.
4. A Misra, K Pawan, R Padmnabh, and D S Misra, Nano Sci. Nano Tech. 7 (2007) 1820.
5. P Ayala, R Arenal, M Rümmeli, A Rubio, and T Pichler, Carbon 48 (2010) 575.
6. S. Tumėnas, I. Kašalynas, V. Karpus, and H. Arwin, Acta. Phys. Pol. 119 (2011) 140.
7. A F Abuilaiwi, T Laoui, M A Harthi, and A Atieh, The Arabian J. Sci. Eng. 35 (2010) 37.
8. J H Lehman, M Terrones, and E Mansfield, Carbon 49 (2011) 2581.
9. Y Tian, Dep. Appl. Phys. 77 (2012) 105.
10. A Misra, P K Tyagi, and M K Singh, D S Misra, Dep. Phys. 15 (2006) 385.
11. T I Jeon, J H Son, K H An, Y H Lee, and Y S Lee, Appl. Phys. 98 (2005) 034316.
12. T I Jeon, J H Son, G H An, and Y H Lee, Korean Phys. Soci. 39 (2001) 185.