نوع مقاله : مقاله پژوهشی

نویسندگان

گروه شیمی فیزیک، دانشکدة علوم پایه، دانشگاه ملایر

چکیده

در این تحقیق با استفاده از نظریة تابعی چگالی، پارامترهای الکتریکی، ساختاری، کوانتومی و تشدید مغناطیس ‏هسته‌ای (‏NMR‏) مربوط به برهم‌کنش گاز ‏N2O‏ بر روی موقعیت اتم‌های ‏B‏ و ‏‎ P‏ حالت‌های خالص و ‏آلایش یافته با ‏Si‏، ‏Ga‏ و ‏‎ SiGa‏ نانولولۀ آرمچیر(4 و 4) بور فسفید‎(BPNTs) ‎‏ مورد بررسی قرار گرفته ‏است. برای این منظور هفت مدل جذبی را بر روی سطح خارجی نانولولة بور فسفید در نظر گرفته و ‏سپس تمام ساختارهای مورد مطالعه را با استفاده از روش ‏B3LYP‏ و توابع بنیادی ‎6-31G(d)‎‏ بهینه ‏کرده‌ایم . ساختارهای بهینه شده برای محاسبة پارامترهای الکتریکی، ساختاری، کوانتومی و ‏NMR‏ مورد ‏استفاده قرار گرفته‌اند. نتایج حاصل نشان می‌دهد که مقادیر انرژی‌های جذب تمام مدل‌های مورد مطالعه منفی ‏بوده، گرماده و از نظر ترمودینامیکی مساعد هستند. هنگامی که گاز ‏N2O‏ از سر اکسیژن خود جذب ‏اتم بور نانولوله شود، این گاز به اکسیژن اتمی و نیتروژن مولکولی تفکیک می‌شود. در این حالت انرژی ‏جذب بیشتر از سایر مدل‌ها بوده لذا از سایر مدل‌ها‎‎‏ نیز پایدارتر است. در مدل‌های جذبی ‏A‏ ، ‏B‏ و ‏C‏ پارامتر ‏سختی کروی نانولوله کاهش قابل توجهی را نسبت به حالت اولیه نشان می‌دهد که بیانگر افزایش واکنش‌‏پذیری و فعالیت نانولوله است. همچنین در این مدل‌ها مقدار الکترون‌خواهی، پتانسیل شیمیایی، ‏الکترونگاتیویته و پارامتر نرمی افزایش قابل ملاحظه‌ای را نسبت به حالت اولیه نشان می‌دهند. نتایج حاصل از ‏محاسبات ‏NMR‏ نشان می‌دهد مقادیرCSI ‎‏ در مدل ‏C‏ از سایر مدل‌ها بیشتر است. نتایج این تحقیق نشان می‌‏دهد نانولوله‌های بور فسفید آلایش یافته با ‏Si‏ ،‎ Gaو‎ SiGaانتخاب مناسبی برای جذب و تهیه حسگر گاز‎ ‎N2O هستند.

کلیدواژه‌ها

عنوان مقاله [English]

The first-principle study of N2O gas interaction on the surface of pristine and Si-, Ga-, SiGa-doped of armchair boron phosphide nanotube: DFT method

نویسندگان [English]

  • M Rezaei Sameti
  • Kh Hadian

Department of Physical Chemistry, Faculty of Science, Malayer University, Malayer, Iran

چکیده [English]

In present research,  the electrical, structural, quantum and NMR parameters of interaction of N2O gas on the B and P sites of pristine, Ga-, Si- and SiGa-doped (4,4) armchair models of boron phosphide nanotubes (BPNTs) are investigated by using density functional theory (DFT).  For this purpose, we consider seven models for adsorption of N2O gas on the exterior surfaces of BPNTs and then all structures are optimized by B3LYP level of theory and 6–31G (d) base set. The optimized structures are used to calculate the electrical, structural, quantum and NMR parameters. The computational results reveal that the adsorption energy of all studied models of BPNTs is negative values and all processes are exothermic and favorable in thermodynamic approach. When N2O gas is adsorbed from its O atom head on the B site of nanotube, N2O gas dissociated to O atom and N2 molecule. The adsorption energy of this process is more than those of other models and more stable than other models.  In A, B and C models the global hardness decrease significantly from original values and so the activity of nanotube increases from original state. On the other hand, the electrophilicity index (ω), electronic chemical potential (μ), electronegativity (χ) and global softness (S) of the A, B and C  models increase significantly from original value and the CSI values of the C model are larger than those of other models. The results demonstrate that the Ga-, Si- and SiGa- doped BPNTs are good candidates to adsorbing and making N2O gas sensor.

کلیدواژه‌ها [English]

  • BPNTs
  • NMR
  • N2O adsorption
  • Ga-
  • Si- and SiGa-doped
  • DFT
  1. A S Tarendash, Let's review: chemistry, the physical setting, Barron's Educational Series (2004). 

  2. M Iwamotoand H Hamada, Catal. Today 10 (1991) 57.

  3. F Kaptein, J Rodriguez-Mirasol, and J A Moulijn, App. Cataly B 9 (1996) 25.

  4. G Delahay, M Mauvezin, B Coq, and S Kieger, J. Cataly 202 (2001) 156.

  5. B Coq, M Mauvezin, G Delahay, J B Butet, and S Kieger, App. Cataly B 27 (2000)193.

  6. B Moden, P Da Costa, B Fonfe, D Ki Lee, and E Iglesia, J. Cataly 209 (2002) 75.

  7. A Martinez, A Goursot, B Coq, and G Delahay, J. Phys. Chem. B 108 (2004) 8823.

  8. A R Ravishankara, J S Daniel, and R W Portmann, Science 326 (2009) 23.

  9. M T Baei, A Soltani, A V Moradi, and E Tazikeh Lemeski, Com. Theo. Chem. 970 (2011) 30.


10. M T Baei and A  Soltani, A V Moradi, M Moghimi, Monatsh Chem. 142 (2011) 573.


11. A Soltani, M Ramezani Taghartapeh, E Tazikeh Lemeski, M Abroudi, and H Mig, Superlatt Microstruct 58 (2013)178.


12. X Solans-Monfort, M Sodupe, and V Branchadell, Chem. Phys. Lett. 368 (2003) 42.


13. M Mirzaei, Z Phys. Chem. 223 (2005) 815.



  1. 14.  M T Baei, A Varasteh Moradi, P Torabi, and M Moghimi, Monatsh Chem. 142 (2011) 1097.


15. M T Baei, A Ahmadi Peyghan, and M Moghimi, Monatsh Chem. 143 (2012) 1627. 


16. M T Baei, Monatsh Chem. 143 (2012) 881.


17. M Mirzaei, J. Mol. Model 17 (2011) 89.


18. A Ahmadi Peyghan M T, Baei, M Moghimi, and S Hashemian, J. Clust. Sci 24 (2013) 49.


19. M T Baei, A Varasteh Moradi, P Torabi, and M Moghimi, Monatsh Chem 143 (2012) 37.


20. K Li, W Wang, D Cao, Sens Actuat B Chem. 159 (2011)171.


21. M Rezaei-Sameti, Physica B 407 (2012)3717.


22. M Rezaei-Sameti, Physica E 44 (2012)1770.


23. M Rezaei-Sameti and S Yaghobi, Comp. Condense Matt. 3 (2015) 21.


24. M Rezaei-Sameti, Physica B 407 (2012) 22.


25. M Rezaei-Sameti, E A Dadfar, Iran. J. Phys. Res. 15 (2015) 41.


26. M J Frisch, et al., GAUSSIAN 03 (2003).


27. P K Chattaraj, U Sarkar, and D R Roy, Chem. Rev. 106 (2006) 2065.


28. K K Hazarika, N C Baruah, and R C Deka, Struct. Chem. 20 (2009)1079.


29. R G Parr, L Szentpaly, and S Liu, J. Am. Chem. Soc. 121(1999) 1922.


30. C Tabtimsai, S Keawwangchai, N Nunthaboot, V Ruangpornvisuti,and B Wanno, J Mol Model 18 (2012) 3941.



  1. A E Reed, L A Curtiss, F Weinhold, Chem. Rev. 88 (1988) 899.

ارتقاء امنیت وب با وف ایرانی