نوع مقاله : مقاله پژوهشی

نویسندگان

گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه کوفه

چکیده

خواص مورفولوژیکی و ساختاری فیلم‌های NiO برای یافتن امکان بهره‌برداری از آن به عنوان یک حسگر گاز مورد مطالعه قرار گرفته است. لایه نازک اکسید نیکل با استفاده از روش تجزیه در اثر حرارت اسپری شیمیایی بر روی بسترهای شیشه ای با استفاده از غلظت های مختلف نیترات نیکل هگزا هیدرات [Ni(NO3)2:6H2O] محلول آبی به دست آمده است. فیلم های تولید شده با استفاده از پراش اشعه ایکس و میکروسکوپ نیروی اتمی مشخص شدند. بررسی‌ها نشان داد که ساختار کریستالی یک مکعب چند کریستالی با جهت‌گیری ترجیحی در امتداد صفحه (111) است. تجزیه و تحلیل توپوگرافی (AFM) نشان می دهد که مقادیر اندازه دانه با افزایش غلظت افزایش می یابد، که در آن میانگین قطر دانه به ترتیب از 42.04-110.058 نانومتر با غلظت 0.01 M و 0.1M افزایش می یابد. نتایج سنجش گاز نشان می دهد که حساسیت لایه های نیمه هادی اکسید نیکل به گاز سولفید هیدروژن تحت تأثیر اندازه بلورهای در حال رشد و دمای عملیاتی است.

کلیدواژه‌ها

موضوعات

عنوان مقاله [English]

تقویت حسگر گاز سولفید هیدروژن (H2S) بر اساس نیمه هادی اکسید فلز (NiO) نازک

نویسندگان [English]

  • Radhiyah Al jarrah
  • Nawar Rahim

Department of Physics, Faculty of Science, Kufa University

چکیده [English]

The morphological and structural properties of NiO films have been studied to find out the possibility of exploit it as a gas sensor. The thin film of the nickel oxide has been obtained by a chemical spray pyrolysis technique on glass substrates using various concentrations of nickel nitrate hexahydrate [Ni(NO3)2:6H2O] aqueous solution. The produced films were characterized using X-Ray diffraction and atomic force microscopy. The investigations revealed that the crystal structure are a cubic polycrystalline with preferential orientation along the (111) plane. The topographical analyse (AFM) shows that the values of the grain size increasing with increase the concentration, where average of the grain diameter raised from 42.04-110.058 nm of 0.01 M and 0.1M concentrations respectively. The gas sensing results demonstrate that sensitivity of nickel oxide semiconductor films to the hydrogen sulfide gas are affected by the size of the growing crystallites and the operating temperature

کلیدواژه‌ها [English]

  • AFM
  • gas sensor
  • metal oxide semiconductor
  • operating temperature
  • sensitivity

تحت نظارت وف ایرانی