مجلۀ پژوهش فیزیک ایران

شماره جاری

بر اساس شماره‌های نشریه

بر اساس نویسندگان

بر اساس موضوعات

نمایه نویسندگان

نمایه کلیدواژه ها

درباره نشریه

اهداف و چشم انداز

هیئت دبیران

اصول اخلاقی انتشار مقاله

بانک ها و نمایه نامه ها

پیوندهای مفید

پرسش‌های متداول

فرایند پذیرش مقالات

اطلاعات آماری نشریه

اخبار و اعلانات

شبیه‌سازی اثرات دما و میدان مغناطیسی بر چگالی حالات سطحی در هتروساختارهای نیم‌رسانا

نوع مقاله : مقاله پژوهشی

نویسندگان

1 موسسه مهندسی و فناوری نامنگان، 160115، نامنگان، ازبکستان

2 -موسسه مهندسی و فناوری نامنگان، 160115، نامنگان، ازبکستان -مؤسسۀ مهندسی ساخت و ساز نامنگان، 160103، نامنگان ازبکستان

چکیده

در این مقاله، خواص فیزیکی سطح مادۀ CdS/ Si (p)  تحت تأثیر میدان مغناطیسی مورد بررسی قرار گرفته است. وابستگی چگالی حالات سطحی نیمه‌رسانای نوع p Si(p)  به میدان مغناطیسی و دما مطالعه شده است. برای اولین بار، یک مدل ریاضی برای تعیین وابستگی دمایی چگالی حالات سطحی یک نیم‌رسانا، تحت میدان مغناطیسی قوی توسعه داده شده است.مدل‌سازی فرایندها با استفاده از داده‌های تجربی طیف انرژی پیوستۀسیلیکون انجام شده‌ است . مقادیر تجربی فوق در دماهای پایین و میدان‌های مغناطیسی قوی در گاف نوار سیلیکون به‌دست آمده‌اند. امکان محاسبۀ سطوح انرژی گسسته نشان داده شده است.

کلیدواژه‌ها

موضوعات

عنوان مقاله [English]

Simulation the effects of temperature and magnetic field on the density of surface states in semiconductor heterostructures

نویسندگان [English]

  • Ulugbek Erkaboev 1
  • Nosir Sharibaev 1
  • Muzaffar Dadamirzaev 2
  • Rustamjon Rakhimov 1

1 Namangan Institute of Engineering and Technology, 160115, Namangan, Uzbekistan

2 1. Namangan Institute of Engineering and Technology, 160115, Namangan, Uzbekistan 2..Namangan Engineering-Construction Institute, 160103, Namangan, Uzbekistan

چکیده [English]

In this article, the physical properties of the surface of the CdS/Si(p) material under the influence of a magnetic field were studied . The dependence of the density of surface states of the p-type Si(p) semiconductor on the magnetic field and temperature has been studied. For the first time, a mathematical model has been developed to determine the temperature dependence of the density of surface states of a semiconductor under the influence of a strong magnetic field. Mathematical modeling of the processes was carried out using experimental values of the continuous energy spectrum of the density of surface states, obtained at various low temperatures and strong magnetic fields, whithin the band gap of silicon. The possibility of calculating discrete energy levels is demonstrated.

کلیدواژه‌ها [English]

  • density of surface states
  • magnetic field
  • heterostructure
  • deep levels
  • capacitance-voltage characteristic
  • mathematical modeling
  • temperature
مراجع
  1. V V Tregulov, Math. Sci. 3, 23 (2012) 124.
  2. V V Tregulov, RSU. 32, 3 (2011) 169 .
  3. V V Tregulov, Phys. 59, 9 (2014) 1413.
  4. B L Sharma. Ser. Sci. Solid State 5 (1974).
  5. A A Lebedev and N A Sobolev, Sci. Forum (1997) 258.
  6. A Tataroglu, S Altindal, and I Dokme. Gazi Univ. J. Sci. 16, 4 (2003) 677.
  7. A A Nasirov, Surf. Eng. Appl. Electrochem. 44, 4 (2008) 339.
  8. U I Erkaboev, et al., J. Appl. Sci. Eng. 19, 2 (2022) 2021123.
  9. U I Erkaboev, R G Rakhimov, and N A Sayidov, Phys. Lett. B 35, 17 (2021) 2150293-1.  
  10. G Gulyamov, M G Dadamirzaev, and S R Boidedaev, Semicond. 34, 3 (2000) 260.
  11. M Ahmetoglu (Afrailov), et al., J. Mod. Phys. B 23, 15 (2009) 3279.
  12. U I Erkaboev, et al., Indian J. Phys. 97, 4 (2023) 1061.
  13. U I Erkaboev, et al., Indian J. Phys. 98, 1 (2024) 189.
  14. G Gulyamov, et al., East Europ. J. of Phys. 2 (2023) 221.
  15. S H Shamirzaev, et al., Semicond. 45, 8 (2011) 1035.
  16. G Gulyamov, M G Dadamirzaev, and S R Boidedaev, Semicond. 34, 5 (2000) 555.
  17. G Gulyamov, M G Dadamirzaev, and M O Kosimova, J. Phys. 68, 1-2 (2023) 603.
  18. U I Erkaboev and R G Rakhimov. e-Prime - Adv. in Electr. Eng. Electron. Energy 5 (2023) 100236.
  19. U I Erkaboev and R G Rakhimov, e-J. Surf. Sci. Nanotechnol (2024) 98.
  20. S H. Shamirzaev, et al., Semicond. 43, 1 (2009) 47.
  21. G Gulyamov, et al., Nano- Electron. Phys. 12, 3 (2020) 03012.
  22. G Gulyamov, et al., Appl. Sci. Eng. 23, 3 (2020) 453.
  23. UErkaboev, et al., J. Mod. Phys. B. 37, 10 (2023) 2350015.
  24. G Gulyamov, et al., Phys. J. 12, 3 (2010) 143.
  25. G Gulyamov and N Y Sharibaev, Semicond. 45, 2 (2011) 174.
  26. U I Erkaboev, et al., Nano. 16, 9 (2021), 2150102.
  27. G Gulyamov, U I Erkaboev, and A G Gulyamov, Indian J. Phys. 93, 5 (2019) 639.
  28. G Gulyamov, U I Erkaboev, and A G Gulyamov. Nano- Electron. Phys. 11, 1 (2019) 01020.
  29. U I Erkaboev and R G Rakhimov. East Europ. J. Phys. 3 (2023) 133.
  30. U I Erkaboev, G Gulyamov, and R G Rakhimov. Indian J. Phys. 96, 8 (2022) 2359.
  31. U Erkaboev, et al., “AIP Conference Proceedings” (2023).
  32. U Erkaboev, et al., “AIP Conference Proceedings” (2023).
  33. U I Erkaboev, et al., “E3S Web Conferences” (2023).
  34. U I Erkaboev, et al., “E3S Web Conferences” (2023).
  35. G Gulyamov, et al., Phys. Lett. B. 37, 10 (2023) 2350015.
  36. U I Erkaboev, et al., Romanian J. Phys. 65, 5-6 (2023) 614.
  37. U I Erkaboev, et al., J. Mod. Phys. B. 34, 7 (2020) 2050052.
  38. G Gulyamov., et al., Mathemat. Res. 3,1 (2021) 5.
  39. J I Mirzaev. Bull. NamSU. 3, 6 (2021) 51.
  40. I A Vainshtein, A F Zatsepin and V S Kortov, Solid State 41, 6 (1999) 905.
  41. Yu R Nosov, V A Shilin, Moscow Sci. (1986) 362.
  42. G E Pikus, Moscow Sci. (1965) 448
  43. A V Rzhanov, Moscow Sci. (1972) 480
  44. B V Pavlyk, et al., Semicond. 45, 5 (2011) 599.
  45. R E Stahlbush, et al., IEEE Trans. Nucl. 39, 6 (1992) 2086.
  46. D Slobodzyan, et al., MDPI Mater. 5, 12 (2022) 4052.
  47. M Bruel, Lett. 31, 14 (1995) 1201.
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
دوره 24، شماره 3 - شماره پیاپی 97
آذر 1403
صفحه 69-74
فایل ها
هم رسانی
ارجاع به این مقاله
آمار

ارتقاء امنیت وب با وف ایرانی