نویسنده

چکیده

در طول دو دهه, مطالعات وسیعی بر روی ابر رساناهای دمای بالا انجام شده است. بخش بزرگ این تلاشها بر روی ناحیه کم آلاییده بوده است که فیزیک جدید و دشوار عایق مات آلاییده شده پیچیدگی های جدیدی را به آن افزوده است. از جمله زوج شدگی / جدا شدگی دو لایه ای باندهای جدا شده و نقاط داغ را می توان نام برد. با وجود اینکه این پیچیدگیها هنوز برطرف نشده است, در این مرور کوتاه, تمرکز بر روی ناحیه واقعی ابررسانایی با آلاییدگی بهینه معطوف شده است. این تمرکز فقط بر روی خود حالت ابررسانایی نیست, بلکه در اصل بر روی مشخصات حالت بهنجار است که از آن ناپایداری ابررسانایی ظاهر می شود, و البته آن را هم به صورت مختصر می شود بیان کرد. در این مقاله به دو موضوع پرداخته می شود,(1) چرا Tc بهینه تغیییر می کند؟,برای سیستمهای n لایه ای, Tc با افزایش n تا 3 افزیاش می یابد ولی بعد کاهش می یابد, برای یک n خالص, Tc بسته به اتم پایه به ترتیب برای Tl, Bi و Hg افزایش می یابد. (2) چگونه فشار یا یک تنش محوری Tc را افزایش می دهد؟ در حالیکه سیستم بدون تنش نیز در حالت آلاییدگی بهینه است.

کلیدواژه‌ها

عنوان مقاله [English]

High temperature superconductors at optimal doping

نویسنده [English]

  • W. E. Pickett

چکیده [English]

  Intensive study of the high temperature superconductors has been ongoing for two decades. A great deal of this effort has been devoted to the underdoped regime, where the new and difficult physics of the doped Mott insulator has met extra complications including bilayer coupling/splitting, shadow bands, and hot spots. While these complications continue to unfold, in this short overview the focus is moved to the region of actual high-Tc, that of optimal doping. The focus here also is not on the superconducting state itself, but primarily on the characteristics of the normal state from which the superconducting instability arises, and even these can be given only a broad-brush description. A reminder is given of two issues,(i) why the “optimal Tc” varies,for n-layered systems it increases for n up to 3, then decreases for a given n, Tc increases according to the ‘basis’ atom in the order Bi, Tl, Hg (ii) how does pressure, or a particular uniaxial strain, increase Tc when the zero-strain system is already optimally doped?

کلیدواژه‌ها [English]

  • high temperature superconductors
  • optimal doping
  • Mott insulator

تحت نظارت وف بومی