نویسنده

چکیده

در این کار ضمن ارایه یک مدل ریاضی برای محاسبه مقاومت ویژه لایه های نازک, تغییرات مقاومت الکتریکی ویژه بر حسب ضخامت برای تک لایه ایهای نازک Ni و چند لایه ایهای نازک Ni/Cu مورد مطالعه قرار گرفت. لایه ها به روش الکتروانباشت از یک محلول الکترولیت شامل یونهای Ni و Cu رشد یافتند. ضخامت لایه ها از 200 تا 2000نانومتر تغییر داده شد. نقش پراش پرتوایکس (XRD) تعدادی از لایه های نازک Ni/Cu بیانگر ساختار چندلایه ای و پیروی آنها از ساختار ترجیحی زیر لایه خود است. از مطالعات اندازه گیری مقاومت الکتریکی ویژه, پویش آزاد میانگین برای لایه های نازک Ni و Ni/Cu محاسبه گردید.

کلیدواژه‌ها

عنوان مقاله [English]

Dependence of resistivity of electrodeposited Ni single layer and Ni/Cu multilayer thin films on the film thickness, and electron mean free path measurements of these films

نویسنده [English]

  • Gholamreza Nabiyouni

چکیده [English]

  The Boltzmann equation is a semiclassical approach to the calculation of the electrical conductivity. In this work we will first introduce a simple model for calculation of thin film resistivity and show that in an appropriate condition the resistivity of thin films depends on the electron mean free path, so that studying and measurement of thin films resistivity as a function of film thickness would lead to calculation of the electron mean free path in the films. Ni single layers and Ni/Cu multilayers were grown using electrodeposition technique in potentiostatic mode. The films also characterized using x-ray diffraction technique and the results show at least in the growth direction, the films were grown epitaxially and follow their substrate textures.

کلیدواژه‌ها [English]

  • electron mean free path
  • multilayer thin films
  • resistivity

تحت نظارت وف بومی