نویسندگان

چکیده

پس از کشف نانولوله های کربنی در سال 1991, برای اولین بار در ایران گروه ما موفق به رشد نانولوله های کربنی بر روی زیر لایه های سیلیکان لایه نشانی شده با کبالت در دمای 800?C و به روش انباشت بخار شیمیایی پلاسمایی (PECVD) شد. در این روش گازهای اتیلن(C2H4) با فلوی sccm 30 به عنوان منبع تامین کربن و نیتروژن (N2) با فلوی 15sccm به عنوان رقیق کننده استفاده شده است. در اینجا یک لایه نازک کبالت نقش کاتالیزور را به عهده دارد و نقش آن به عنوان اصلی ترین عامل در رشد نانولوله ها نشان داده شده است. همچنین نقش دما به عنوان دیگر عامل تعیین کننده بررسی شده است. در نهایت تصاویر SEM گرفته شده از نمونه هایی که با زمانهای متفاوت در معرض فلوی گاز قرار گرفته اند نشان دهنده رشد نانولوله ها با طولهایی وابسته به زمان آزمایش می باشد و این در حالی است که قطر آنها به قطر جایگاههای نانومتری روی سطح کاتالیزور بستگی دارد که آن هم به نوبه خود به ضخامت لایه کاتالیزور وابسته است.

کلیدواژه‌ها

عنوان مقاله [English]

Fabrication and study of carbon nanotube by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)

کلیدواژه‌ها [English]

  • carbon nanotube
  • PECVD method

تحت نظارت وف بومی