نویسندگان

چکیده

در این مقاله نحوه باز توزیع ناخالصی آرسنیک و تاثیر آن را بر روی سرعت رشد اکسید سیلیسیم که به روش اکسیداسیون گرمایی )در دمای 900C° و با استفاده از بخار آب( رشد داده شده است بررسی می کنیم. ناخالصی آرسنیک به وسیله کشت یونی با انرژی 100keV در نمونه سیلیسیم با جهت بلوری (100) کاشته شده و اثر ناخالصی آرسنیک با غلظتهای 2×1016As+/cm2و 5×1016As+/cm2بر سرعت رشد اکسید سیلیسیم به وسیله اندازه گیری ضخامت اکسید به روش پراکندگی برگشتی راترفورد (RBS) بررسی می شود. همچنین, نحوه توزیع ناخالصی آرسنیک و عمق آن از جمله مسایلی است که می توان بدین وسیله مطالعه کرد. مقایسه این نتایج با کارهای قبلی انجام شده در زمینه اکسیداسیون سیلیسیم برای نمونه های کشت شده, افزایش سرعت رشد را نشان می دهد. ایجاد Shallow Junction ها از جمله نتایج مورد انتظار است.

کلیدواژه‌ها

عنوان مقاله [English]

Redistribution of implanted Arsenic (AS) on the rate of oxide growth during steam oxidation of Si

نویسندگان [English]

  • D. Agha-Ali-Gol
  • A. Baghizadeh
  • D. Fathi

چکیده [English]

 In this article, we investigate the redistribution of implanted As+ ion and effect of it on the rate of oxide growth during steam oxidation of Si wafers at 900oC. Our results show that a highly enriched, thin layer of Arsenic forms at the interface between the oxide and the underlying Si. Also, the oxidation rate was found to increase depending on the depth distribution and dose of the implanted impurity As. The thin As layer collected at the interface can be used in the design of shallow junctions. Rutherford Backscattering Spectroscopy(RBS) was used to investigate the oxide characteristics.

کلیدواژه‌ها [English]

  • Ruhterford backscattering spectroscopy
  • thermal oxidation
  • ion implantation
  • impurity redistribution

تحت نظارت وف بومی