نویسندگان
چکیده
در این مقاله در ابتدا لایه های سولفید کادمیم با شفافیت اپتیکی زیاد و مقاومت ویژه کم ساخته شد. سپس خواص فوتوکانداکتیویته لایه سولفید کادمیم بر روی زیر لایه شیشه ای در گستره از دمای اتاق تا200° C مورد مطالعه قرار گرفت. نهایتا ناخالص سازی لایه سولفید کادمیم با فلزات مس, نقره, طلا و آلومینیوم انجام گرفت. در نمونه های سولفید کادمیم ناخالص شده با مس, نقره و طلا موفق به ایجاد مراکز تله شدیم و قله منحنی(( I-λ به سمت انرژیهای کمتر (طول موجهای بلندتر) جا به جا شد. هدف مقاله استفاده از یک روش آزمایش جدید و ابتکاری برای ناخالص سازی و تاثیر دما بر روی فوتوکانداگتیویته لایه سولفید کادمیم می باشد.
کلیدواژه‌ها
عنوان مقاله [English]
The effects of impurities on the band gap energy of CdS photoconductors
نویسندگان [English]
- R. S.
- A. N.
چکیده [English]
The basic requirements of the CdS thin films on their applications are high optical transparency, low electrical resistivity, and better crystalinity (e.g.high orientation). Firstly, we prepared CdS films by thermal eveporation techniques on glass substrate and then studied their photoconductivity from room temperature to 200 . Secondly, we prepared CdS films with impurities of Cu, Ag, Au and Al. In doped films with Cu, Ag and Au, we found CdS peak shifts towards lower energies. Our aim was to uas a new and initiative method for temerature and impurities effects on CdS photoconductors.
کلیدواژه‌ها [English]
- gap energy
- cadmium sulfide
- impurities
- photoconductivity
)