نویسندگان

• محمود علومی
• س. س. ماتهای
• ث. اچ. شن

چکیده

مشاهده شده است که ناپیوستگی نواری در اتصال نیمه هادیها به صورت بحرانی به عوامل متعددی وابسته است. با استفاده از روش شبه پتانسیل ابتدا به ساکن در موارد ابرشبکه کرنش یافته InGa As / Ga As توانستیم وابستگی ناپیوستگیهای نواری (ظرفیت و رسانش) را بر حسب کرنش و ترکیب In در این سیستم تعیین نماییم. علاوه بر این, نشان داده ایم که ناپیوستگی نواری را می توان با معرفی یک لایه Ge در ناحیه فصل مشترک کنترل نمود.

کلیدواژه‌ها

• ابرشبکه‌های نامتجانس
• لایه‌های کرنش یافته

عنوان مقاله [English]

Band offsets in strained layer superlattices

نویسندگان [English]

• M. Oloumi
• C. C. Matthai
• T. H. Shen

چکیده [English]

  Band offsets at semiconductor heterojunctions have been shown to be critically dependent on a number of factors. By applying the ab-initio pseudopotential method to the strained InGaAs/GaAs superlattice, we have been able to determine the dependence of the offsets on the strain in the system and on the indium composition. In addition, we have shown that it is possible to control the interface band discontinuities by the introduction of an interlayer of Ge at the interface.

کلیدواژه‌ها [English]

• lattice- mismatched
• strained layer