نویسندگان

• سکینه مینائی فرد
• رضا ثابت داریانی

چکیده

  هدف از این مقاله وارد کردن اصلاحاتی به مدل انبوهش پخش محدود می‌باشد که بتواند اثرات نوع آلایش و چگالی جریان را درشکل ساختارهای به‌دست آمده طی رشد سیلیکان متخلخل شبیه‌سازی کند. برای تأثیر نوع آلایش, ضریب چسبندگی و برای تأثیر چگالی جریان, پارامتر میدان متوسط را به مدل انبوهش پخش محدود اعمال کردیم. نتایج شبیه‌سازی نشان می‌دهند که پارامتر ضریب چسبندگی در کنترل ضخامت خلل مؤثر است در حالی‌که پارامتر میدان متوسط ویژگی درختی یا میله‌ای بودن خلل را کنترل می‌کند. نتایج آن بر روی شبیه‌سازی رشد سیلیکان متخلخل, نشان داد اصلاحات اعمال شده با تأثیر این دو پارامتر در شکل ساختارهای شبیه سازی شده با نتایج نمونه‌های تجربی به‌دست آمده توافق و سازگاری دارند.

کلیدواژه‌ها

• سیلیکان متخلخل
• انبوهش پخش محدود
• شبیه‌سازی
• ضریب چسبندگی
• میدان متوسط

عنوان مقاله [English]

Simulation of doping type and current density effects on porous silicon growth by modified limited diffusion aggregation method

نویسندگان [English]

• S. Minaeifard
• R. Dariani

چکیده [English]

  The aim of this article is apply modification to limited diffusion aggregation model. The method can simulate the doping type and current density on obtained structures forms within porous silicon growth. For doping type effect, the sticking coefficient parameter and for the current density effect, mean field parameter applied to limited diffusion aggregation. Simulation results showed that the sticking coefficient parameter influences pores thickness controlling. Meanwhile, the mean field parameter could control tree or rod characteristics of pores. Results on porous silicon growth simulation showed that the applied modifications accompany with these two parameters on structure simulation formation are consistence with experimental data of the samples.

کلیدواژه‌ها [English]

• porous silicon
• limited diffusion aggregation
• simulation
• sticking coefficient
• mean field