نویسندگان
دانشگاه صلاحالدین عراق
چکیده
وابستگی دمایی مغناطو - اپتیکی و مغناطو - رسانش نوری در بازه 200 تا 300 کلوین اندازهگیری شده است. یخچال اپتیکی مورد اندازهگیری ساخت آزمایشگاه محلی است. برای این نمونه، گاف انرژی اندازهگیری شده در دمای اتاق eV 2.211 بهدست آمد. ضریب دمایی گاف انرژی اندازهگیری شده با روش جذب نوری eV/K -5.48×10-4 و با اندازهگیری رسانش نوری eV/K -4.90×10-4 بهدست آمد. اندازهگیری ضریب میدان مغناطیسی گاف انرژی نشان میدهد که این کمیت بستگی به دما دارد و با میدان مغناطیسی اعمال شده 2.2 تسلا در دمای 202 کلوین اندازه آن eV/Tesla 1.34×10-5 است در حالی که در دمای اتاق eV/Tesla 2.67×10-3 میباشد. جرم مؤثر کاهش یافته حاملان نیز از دو روش مذکور محاسبه شد که برای دمای 202 و 330 کلوین با استفاده از دادههای مغناطو - اپتیکی به ترتیب 0.034m و 0.021m و برای دادههای مغناطو – رسانش نوری 0.052m و 0.032m محاسبه شد.
کلیدواژهها
عنوان مقاله [English]
Magneto-Optical properties of GaP single crystal
نویسندگان [English]
- MS Omar
- TA Abbas
چکیده [English]
The temperature dependence of magneto-optical and magneto-photoconductivity measurements were carried out in the range of (200-330) K. A home made optical cryostat was used for the measurements. The measured room temperature value of the energy gap was found to be 2.211 eV. The temperature coefficient of energy gap was found to be -5.48×10-4 eV/K obtained by the optical absorption method and -4.90×10-4 eV/K from the measurements of photoconductivity. The magnetic field coefficient of energy gap was found to be temperature dependent with values of 1.34×10-3 eV/Tesla at 202 K and 2.67×10-3 eV/Tesla at room temperature, when the field used was up to 2.2 Tesla. The reduced effective mass of carriers are also calculated from both techniques and found to be changing from 0.034 m0 to 0.021 m0 when magneto-optical data was used in the calculations and from 0.052 m0 to 0.032 m0 when magneto-photoconductivity data was used as the temperature changed from 220 K to 330 K respectively.
کلیدواژهها [English]
- Magneto-Optical properties
- photoconductivity
- semiconductors
- GaP
)