نویسندگان

چکیده

تغییرات دمایی انرژی قله‌‌ طیف گسیلی چاه کوانتومی بدون آلایش نیمرسانای نیتروژندار دارای جابه‌جایی قرمز- آبی– قرمز متوالی (رفتار S گونه) می‌باشد که این امر به جایگزیدگی اکسیتون‌ها در افت و خیزهای پتانسیل درچاه کوانتومی و یا فصل مشترک چاه و سد نسبت داده می‌شود. میزان آلایش سیلیکونی در سد، روی تغییرات دمایی انرژی قله‌‌ طیف گسیلی (رفتار S گونه)، پهنای طیف اپتیکی گسیلی (FWHM) و همچنین انرژی گسیلی کل در طیف فتولومینسانس و در نتیجه میزان جایگزیدگی اکسیتون‌ها تاثیر می‌گذارد. در این مقاله جایگزیدگی اکسیتون‌ها در چاه‌های کوانتومی نیمرساناهای نیتروژندار آلایش یافته و بدون آلایش با کمک مدل نظری حالات جایگزیده مورد مطالعه و بررسی قرار می‌گیرد.

کلیدواژه‌ها

عنوان مقاله [English]

Investigation of the thermal behavior of emission spectra of the doped quantum wells by means of LSE model

نویسندگان [English]

  • E Abdoli
  • H Haratizadeh

چکیده [English]

Thermal variation of PL peak energy of undoped nitride semiconductor quantum well shows a successive red-blue-red shifted emission (S-shaped behavior). This behavior has been attributed to the localization of excitons at the energy minima induced by the potential fluctuations in the quantum well structure and/or interface roughness. The S-shaped behavior of PL peak position, the thermal variation of PL line width (FWHM) and the integrated PL intensity as well as the localization exciton have been affected by the modulation doping level. In this paper, exciton localizations of doped and undoped nitride semiconductor quantum wells have been studied by localized states ensembles (LSE) model.

کلیدواژه‌ها [English]

  • potential fluctuation
  • exciton localization
  • quantum well
  • nitride semiconductor
  • localized state ensembles model

تحت نظارت وف بومی