نویسندگان

• محمدرضا خانلری
• ندا احمدی

دانشگاه بین‌المللی امام خمینی قزوین

چکیده

لایه‌های نازک ZnS در دو دمای مختلف زیر لایه 25oC و 200oC و در ضخامت‌های مختلف 100nm-600nm بر روی زیرلایه شیشه به روش تبخیر در خلاء لایه‌نشانی شدند. طیف جذب و عبور برای تعیین گاف انرژی، ضریب جذب و ثابت خاموشی نمونه‌ها تهیه گردید. از بررسی این طیف‌ها مشخص شد که با کاهش دمای زیر لایه گاف اپتیکی نمونه‌ها کاهش وبا کاهش ضخامت آنها گاف اپتیکی افزایش می‌یابد. این پدیده می‌تواند به اثر کوانتمی سایز ذرات نسبت داده شود.

کلیدواژه‌ها

• لایه‌های نازک سولفید روی
• تبخیر گرمایی
• لایه پنجره در سلول خورشیدی

عنوان مقاله [English]

Investigation of ZnS thin layers by thermal evaporation method (PVD)

نویسندگان [English]

• MR Khanlary
• N Ahmadi

چکیده [English]

Thin layers of ZnS in two different temperature conditions of 25 or 2000C and also with different thicknesses from 100nm to 600nm were prepared by physical vapor deposition. Absorption and also transmission spectra of the films were obtained to determine absorption coefficient, extinction constant and optical band gap of the films. It was found that by decreasing the substrate temperature or decreasing the film's thickness, optical band gap of ZnS films were increased or decreased, respectively. These phenomena can be attributed to the quantum size effect.

کلیدواژه‌ها [English]

• Zinc sulfide thin layers
• thermal evaporation
• windows layer in solar cell