نویسنده

• علی بهاری

دانشگاه مازندران

چکیده

  در نانو ترنزیستورهای دهه اخیر، Si(100) به عنوان یک زیرلایه یا بستر مناسب به کار می‌رود. مسائلی نظیر افزایش جریان تونلی و نشتی با کاهش اندازه قطعات الکترونیکی و بویژه ترانزیستورهای اثر میدانی سبب شده است تا امکان به‌کارگیری بیشتر آن مورد تردید قرار گیرد. به همین دلیل در کار حاضر تلاش شده است تا با انجام یک سری از آزمایشات و رشد فیلم‌های فرانازک بر روی هر دو زیرلایه Si(100) و Si(111) به بررسی نانوساختاری فیلم‌های مزبور پرداخته و امکان جایگزینی Si(100) با Si(111) مورد مطالعه قرار گیرد. نتایج به دست آمده در کار حاضر نشان می‌دهد که Si(111) با درگاه دی الکتریک‌های نیتریدی مناسب تر است.

کلیدواژه‌ها

• نانوترانزیستورها
• درگاه دی الکتریک
• زیرلایه سیلیکونی و تکنیک طیف نمایی فتوگسیلی

عنوان مقاله [English]

Investigation of (111) wafers and comparison with (100) substrates

نویسنده [English]

• A Bahari

چکیده [English]

 In the last decade, Si(100) has been used as a suitable substrate in field effect transistors. Some issues such as leakage current and tunneling current through the ultrathin films have been increased with shrinking the electronic devices – particularly, field effect transistors – to nanoscale, which is threatening more use of Si(100). We have thus demonstrated a series of experiments to grow ultrathin films on both Si(100) and Si(111) substrates and studied their nanostructural properties to see the possibility of replacing Si(100) with Si(111). The obtained results indicate that Si(111) substrate with silicon nitride film on top is desirable.

کلیدواژه‌ها [English]

• nanotransistors
• gate dielectric
• Silicon substrate
• photoemission spectroscopy techniques