نویسندگان

دانشگاه بوعلی‌سینا همدان

چکیده

  در این تحقیق، لایه‌های نازک اکسید ایندیوم آلاییده با قلع ( ITO ) در ضخامت‌های مختلف به روش تبخیر با پرتو الکترونی بر روی بستره شیشه‌ای در دمای اتاق تهیه شده است. ضخامت لایه‌ها 100 ، 150 و 250 نانومتر می‌باشد. با استفاده از تحلیل فرکتالی، فرآیند رشد لایه (افزایش ضخامت) بر خصوصیات مورفولوژیکی سطح در حالت آمورف مورد بررسی قرار گرفت. مشاهده شد که با افزایش ضخامت، ناهمواری سطح ( RMS ) w و طول همبستگی عرضی x کاهش پیدا می‌کند. همچنین، نمای ناهمواری α و نمای رشد β ، به ترتیب برابر α =0.72±0.01 و β=0.11±0.01 ، به دست آمد. بر اساس این نتایج، دریافتیم که فرآیند رشد لایه‌ها را می‏توان به صورت ترکیبی از مدل‌های خطی EW و پخش سطحی مولینز توصیف نمود.

کلیدواژه‌ها

عنوان مقاله [English]

Fractal analysis of the surface of indium–tin-oxide

نویسندگان [English]

  • F Hosseinpanahi
  • D Raoufi

چکیده [English]

 In this study, indium-tin-oxide thin films in different thickness ranges were prepared by electron beam evaporation method on the glass substrate at room temperature. The thicknesses of films were 100, 150 and 250nm. Using fractal analysis, morphological characteristics of surface films thickness in amorphous state were investigated. The results showed that by increasing thickness, surface roughness (RMS) and lateral correlation length ( x ) were decreased. Also, the roughness exponent a and growth exponent b were determined to be 0.72 ± 0.01 and 0.11, respectively. Based on these results, we understand that the growth films can be described by the combination of the Edwards-Wilkinson equation and Mullins diffusion equation.

کلیدواژه‌ها [English]

  • ITO
  • thin film, fractal analysis, morphology

تحت نظارت وف بومی