جرم مؤثر در نیمه هادی‌های مغناطیسی رقیق شده: با استفاده از مگنتواپتیک

نویسنده

دانشگاه آزاد اسلامی، واحد اراک

چکیده
نمونه‌هایی از فیلم‌های نازک اکسید روی آلاییده با تیتانیم رشد داده شده بر روی زیر لایه (0001) با استفاده از روش لایه نشانی با لیزر پالسی تهیه شد. با اندازه‌گیری مغناطش این نمونه‌ها توسط اسکویید مگنتومتر، نتیجه شد که نمونه‌ها در دمای اتاق فرو مغناطیس است. با استفاده از اثرمگنتو اپتیکی فارادی زاویه چرخش فاراده و MCD را به صورت تابعی از انرژی در فاصله 4- 5/1 الکترون ولت و همچنین چگالی حامل‌های هر یک از نمونه‌ها با استفاده از اثر هال اندازه‌گیری شدند. مشاهده شد گاف‌های نواری با چگالی حامل‌ها تغییر می‌کنند. از این روی جرم مؤثر حامل‌ها از طریق اثر بورستین- ماس و انقباض گاف‌های نواری محاسبه شده است.

کلیدواژه‌ها


عنوان مقاله English

Effective mass in diluted magnetic semiconductors: Zn0.98Ti0.02O by means of magneto-optics

نویسنده English

A Mokhtari
چکیده English

Thin film samples of Ti-doped ZnO were grown on sapphire (0001) substrates by pulsed laser deposition (PLD). The magnetic moments were measured by SQUID magnetometry and the films were ferromagnetic at room temperature. The Faraday rotations and magnetic circular dichroisms (MCD) were measured as a function of energy at the range of 1.5-4 eV, and carrier concentrations were obtained from Hall effect measurement. The samples exhibited a band-edge shift, which varied with carrier concentration. Effective-mass of carriers were obtained by the Burstein-Moss effect and the band-gap shrinkage

کلیدواژه‌ها English

diluted magnetic semiconductor
magnetic circular dichroism
effective-mass
Burstein-Moss effect
band-gap shrinkage

تحت نظارت وف بومی