نوع مقاله : مقاله پژوهشی

نویسندگان

گروه فیزیک، واحد یادگار امام خمینی (ره) شهرری، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران

چکیده

نانوذرات کادمیوم تلوراید با روش تبخیر حرارتی در دمای زیرلایۀC °200 و فشار  بر روی زیرلایه­ های شیشه­ ای که با لایه­ های نازک شفاف و رسانای اکسید ایندیم آلاییده به قلع (ITO) و اکسید قلع آلاییده شده با فلورین (FTO) پوشش داده شده است، لایه نشانی شد. ضخامت لایه‌های تهیه شده حدود nm200 تعیین شد. ساختار، خواص اپتیکی، الکتریکی و ریخت‌شناسی سطح لایه ­ها به ترتیب توسط پراش پرتو ایکس (XRD)، طیف سنجی فرابنفش- مرئی (UV-Vis)، مشخصه ­یابی جریان-ولتاژ (I-V) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) تحلیل شدند. طیف­های XRD ساختار مکعبی لایۀ نازک کادمیوم تلوراید لایه ­نشانی شده بر روی هر دو زیرلایۀ ITO و FTO را نشان می­دهند. جهت­ گیری ترجیحی فیلم­های لایه ­نشانی شده نیز از راستای (۱۱۱) برای زیرلایۀ ITO به (220) برای زیرلایۀ FTO تغییر کرد. اندازۀ بلورینگی لایه ­ها روی ITO و FTO در این راستاها به ترتیب برابر با حدود 23/41 و 34/84 نانومتر به دست آمد. با استفاده از طیف سنجی UV-Vis در محدودۀ طول موج nm 200-1200 طیف­های عبور از لایه­ های نازک مشخص شد. گاف انرژی اپتیکی لایه های نازک روی زیرلایه ­های ITO و FTO به ترتیب eV 1/60 و  eV1/63 محاسبه شد. منحنی I-V رسانایی الکتریکی بیشتر لایۀ نازک کادمیوم تلوراید بر روی FTO را در مقایسه با ITO نشان می­دهد. تصاویر ریخت‌شناسی سطح، همگنی و یکنواختی سطح را نشان می­دهد‏.

کلیدواژه‌ها

عنوان مقاله [English]

Cadmium Telluride (CdTe) nanoparticles deposition on transparent conductive substrates via thermal evaporation

نویسندگان [English]

  • Maryam Gholizadeh Arashti
  • Lida Babazadeh Habashi
  • Monir Kamalian
  • Ebrahim Hasani

Department of Physics, Yadegar-e-Imam Khomeini (RAH) Shahre Rey Branch, Islamic Azad University, Tehran, Iran

چکیده [English]

Cadmium telluride (CdTe) nanoparticles were deposited on glass substrates coated by indium tin oxide (ITO) and fluorine doped tin oxide (FTO) as transparent conducting films at 200 °C under pressure of 2×10-5 mbar. The thickness of the prepared films prepared was about 200 nm. The structure, optical, electrical, and morphological properties of the layers were analyzed by x-ray diffraction (XRD), ultraviolet-visible (UV-Vis) spectroscopy, current-voltage (IV) characterization, and scanning electron microscopy (SEM), respectively. XRD patterns show the cubic structure of the deposited CdTe thin film on both ITO and FTO substrates. The preferred orientation of deposited films also changed from (111) for ITO substrate to (220) for FTO substrate. The crystallite size of films on ITO and FTO in these orientations were about 23.41 and 34.84 nm, respectively. The thin-film transmittance spectra were determined using UV-Vis spectroscopy in the wavelength range of 200-1200 nm. The optical energy bandgap of thin films on ITO and FTO substrates was calculated to be 1.60 and 1.63 eV, respectively. The I-V curve shows more electrical conductivity of the CdTe thin film on the FTO compared to the ITO. The surface morphology images show homogeneity and uniformity of the surface.
 

کلیدواژه‌ها [English]

  • cadmium telluride
  • thermal evaporation deposition
  • energy bandgap
  • crystallite size
  • extinction coefficient
  1. L Ma, et al., Applied Surface Science 349 (2015) 740.
  2. J -H. Yang, et al., Semiconductor Science and Technology 31 (2016) 083002.
  3. M A Islam, et al., IEEE Access 8 (2020) 193560.
  4. Y-T Zhang, J Song, and Q-F Sun, Journal of Physics: Condensed Matter 26 (2014) 085301.
  5. L A Kosyachenko, et al., Semiconductor Science and Technology 27 (2011) 015007.
  6. M Kokubun, et al, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A 623, 1 (2010) 425.
  7. L Ma, et al., Journal of Alloys and Compounds 828 (2020) 154406.
  8. A Hochreiner, et al., Applied Physics Letters 98 (2011) 021106.
  9. P Bartolo-Pérez, et al, Surface and Coatings Technology 155 (2002) 16.
  10. J Ramiro, et al, Thin Solid Films 361 (2000) 65.
  11. D Verma, A Ranga Rao, and V Dutta, Solar Energy Materials and Solar Cells 93 (2009) 1482.
  12. V V Brus, et al., Solar Energy 112 (2015) 78.
  13. Z M Nassar, M H Yükselici, and A A Bozkurt, physica status solidi (b) 253 (2016) 1104.
  14. Z Chen, et al., Langmuir 29 (2013) 13836.
  15. S Chander and M S Dhaka, Journal of Materials Science: Materials in Electronics 28 (2017) 6852.
  16. N. Tiwari, et al., Progress in Photovoltaics: Research and Applications 12 (2004) 33.
  17. M Kim, et al., Current Applied Physics 10 (2010) S455.
  18. M A Aouaj, et al., Materials Research Bulletin 44 (2009) 1458.
  19. J T Wang, et al., Scientific Reports 4 (2014) 3679.
  20. S H Yoon and D-J Kim, Journal of Crystal Growth 303 (2007) 568.
  21. K Ravichandran, et al., Materials Research Innovations 20 (2016) 187.
  22. A L Patterson, Physical Review 56 (1939) 978.
  23. G K Williamson and R E Smallman, Philosophical Magazine 1 (1956) 34.
  24. G K Williamson and W H Hall, Acta Metallurgica 1 (1953) 22.
  25. G B Harris, The London, Edinburgh, and Dublin Philosophical Magazine and Journal of Science 43 (1952) 113.
  26. C M Randall and R D Rawcliffe, Applied Optics 7 (1968) 213.
  27. H Abitan, H Bohr and P Buchhave, Applied Optics 47 (2008) 5354.
  28. J Tauc, Materials Research Bulletin 3 (1968) 37.
  29. E Hasani, et al., Journal of Electronic Materials 48 (2019) 4283.
  30. A S Elmezayyen, et al., Journal of Physics D: Applied Physics 48 (2015) 175502.
  31. Hasani, et al., Journal of Electronic Materials 49 (2020) 4134.
  32. S Sandeep and K Dhananjaya, IOP Conference Series: Materials Science and Engineering 73 (2015) 012149.
  33. W W Yu, et al., Chemistry of Materials 15 (2003) 2854.
  34. K Punitha, et al., Journal of Applied Physics 116 (2014) 213502.
  35. S Chander and M S Dhaka, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 80 (2016) 62.
  36. Z Chen, et al., Optics Express 26 (2018) 22123.

تحت نظارت وف ایرانی