نویسندگان
چکیده
اکسید تیتانیوم و نیترید آلومینیوم را در شرایط به ترتیب فشار بالا و فشار بسیار پایین بر زیر لایه سیلیکونی رشد داده ایم و با استفاده از تکنیکهایی نظیر تابش سینکروترونی,( AES (Auger Electron Spectroscopy و( SEM (Scanning Electron Microscope به مطالعه ساختار آنها پرداختیم. بررسیهای به عمل آمده نشان می دهند که فیلم آمورف اکسید تیتانیوم و یا نیترید آلومینیوم بر زیر لایه سیلیکون شکل گرفته است که این ویژگی در کنار بالا بودن ثابت دی الکتریک آنها, می تواند از آنها یک گیت دی الکتریک مناسب به جای اکسید فرا نازک سیلیکون بسازد.
کلیدواژه‌ها
عنوان مقاله [English]
Growth and investigation of TiO2 and AlN nanostructureâs properties
نویسندگان [English]
- A. Bahari
- K. Hasanzadeh
- M. Amir Sadeghi
- M. Roodbari
چکیده [English]
We have grown TiO2 and AlN under ultra high vacuum and high pressure conditions and studied their structures with using AES and SEM techniques. The obtained results show that an amorphous film of TiO2 and AlN could be formed on silicon substrate. Furthermore, TiO2 and AlN are high – K dielectric materials and they can thus be replaced to ultra thin gate oxide film.
کلیدواژه‌ها [English]
- semiconductor
- thin film
- CMOS
- TiO2
- AlN
- synchrotron radiation
- AES and SEM techniques
)