مجلۀ پژوهش فیزیک ایران

رشد و بررسی خواص نانو ساختاری اکسید تیتانیوم و نیتراید آلومینیوم

نویسندگان

علی بهاری
کبرا حسن زاده
مونا امیرصادقی
ماندانا رودباری
چکیده
اکسید تیتانیوم و نیترید آلومینیوم را در شرایط به ترتیب فشار بالا و فشار بسیار پایین بر زیر لایه سیلیکونی رشد داده ایم و با استفاده از تکنیکهایی نظیر تابش سینکروترونی,( AES (Auger Electron Spectroscopy و( SEM (Scanning Electron Microscope به مطالعه ساختار آنها پرداختیم. بررسیهای به عمل آمده نشان می دهند که فیلم آمورف اکسید تیتانیوم و یا نیترید آلومینیوم بر زیر لایه سیلیکون شکل گرفته است که این ویژگی در کنار بالا بودن ثابت دی الکتریک آنها, می تواند از آنها یک گیت دی الکتریک مناسب به جای اکسید فرا نازک سیلیکون بسازد.

کلیدواژه‌ها

نیمرسانا
فیلم نازک
CMOS
اکسید تیتانیوم و نیترید آلومینیوم
تکنیکهای سینکروترون
AES و SEM

عنوان مقاله English

Growth and investigation of TiO2 and AlN nanostructure’s properties

نویسندگان English

A. Bahari
K. Hasanzadeh
M. Amir Sadeghi
M. Roodbari
چکیده English

 We have grown TiO2 and AlN under ultra high vacuum and high pressure conditions and studied their structures with using AES and SEM techniques. The obtained results show that an amorphous film of TiO2 and AlN could be formed on silicon substrate. Furthermore, TiO2 and AlN are high – K dielectric materials and they can thus be replaced to ultra thin gate oxide film.

کلیدواژه‌ها English

semiconductor
thin film
CMOS
TiO2
AlN
synchrotron radiation
AES and SEM techniques
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
دوره 8، شماره 1
بهار 1387
صفحه 1-7

صفحه اصلی

راهنمای نویسندگان

ارسال مقاله

داوران

تماس با ما

تحت نظارت وف بومی